[发明专利]一种纳米压印模具、纳米压印装置和纳米压印方法

说明书

本发明实施例提供了一种纳米压印模具，包括：纳米压印模板，与纳米压印模板紧密连接的密封腔体。纳米压印模板用于对压印胶进行压印，且具有透气性，使得在压印过程中，该纳米压印模板的模具腔内的空气扩散进入密封腔体。密封腔体的侧壁设置抽真空孔，使得进入到该密封腔体内的空气通过抽真空孔排出。本发明实施例还公开一种纳米压印装置和纳米压印方法。由于本发明的纳米压印模板与密封腔体紧密相连，使得在压印过程中，该纳米压印模板的模具腔内的空气扩散进入密封腔体，密封腔体的侧壁设置抽真空孔，使得进入到该密封腔体内的空气通过抽真空孔排出，从而将图形转移、真空脱气整合起来，避免随机气泡的产生，减少制造时间、均匀地排出空气。

技术领域

本发明涉及纳米压印技术领域，具体为一种纳米压印模具、纳米压印装置和纳米压印方法。

背景技术

随着时代的发展和科技的进步，作为集成电路的核心的光刻技术也在随之进步，其制程从90纳米减小至7纳米，所用光源波长从436纳米减小至193纳米。但是，这样技术的进步同时也伴随着光刻技术越来越趋近于摩尔定律的瓶颈。为了制造更加精密化的装置，需使用昂贵的阿斯麦极紫外光刻机，这无形中增加了制造成本，导致制造出的产品更加昂贵，从而降低了市场竞争力。

纳米压印技术具有高分辨率、工艺过程简单、超低成本、高生产率等优点，被广泛应用于半导体等微纳制造领域。

现如今，传统纳米压印方式包括热压印、紫外线常温压印等方式。其中，由于热压印操作周期长、压力过大造成纳米压印模板损耗、压印对准偏差大，越来越多的设备设计朝着紫外线常温压印方式转变。

但是，本发明的发明人发现，传统紫外线常温压印设备在空气中进行纳米压印时，通常会在纳米压印模板的模具腔内陷入空气，导致气泡缺陷的生成，导致压印缺陷，压印结构的性能下降。

另外，本发明的发明人发现，部分传统紫外线常温压印设备在压印过程中，采用整体抽真空的方式进行抽真空，但存在抽真空时间长的问题，大大增加了工艺时间，不利于压印辅助光刻制程。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种纳米压印模具、纳米压印装置和纳米压印方法，解决现有技术纳米压印过程中，存在气泡缺陷、抽真空时间长的技术问题。

为了解决上述问题，本发明实施例主要提供如下技术方案：

在第一方面中，本发明实施例公开了一种纳米压印模具，包括：纳米压印模板，与所述纳米压印模板紧密连接的密封腔体；

所述纳米压印模板用于对压印胶进行压印，且具有透气性，使得在压印过程中，该纳米压印模板的模具腔内的空气扩散进入所述密封腔体；

所述密封腔体的侧壁设置抽真空孔，使得进入到该密封腔体内的空气通过所述抽真空孔排出。

可选地，所述密封腔体的内侧壁具有排气微通道，所述排气微通道与所述抽真空孔连接，用于提供空气的流动通道。

可选地，所述纳米压印模板包括：透气底板和与所述透气底板紧密连接的透气膜层；

所述透气底板远离所述透气膜层的一侧设置有模具腔；

所述透气膜层与所述密封腔体紧密连接。

可选地，所述密封腔体设置在所述透气膜层远离所述透气底板的一侧，或者，所述密封腔体设置在所述透气膜层的四周。

可选地，所述纳米压印模板还包括密封层，其中：

当所述密封腔体设置在所述透气膜层远离所述透气底板的一侧时，所述密封层设置在所述透气膜层的四周；

当所述密封腔体设置在所述透气膜层的四周时，所述密封层设置在所述透气膜层远离所述透气底板的一侧。