[发明专利]Gm增强型差分压控振荡器（VCO）

权利要求书

1.一种差分压控振荡器VCO电路，其特征在于，包括：

一对差分晶体管(130、130′、135、135′)，所述一对差分晶体管(130、130′、135、135′)具有通过共同偏置电压(V_bias)偏置的控制端；和

一对耦合器(180、180′、185、185′)，所述一对耦合器(180、180′、185、185′)被布置成交叉耦合所述一对晶体管(130、130′、135、135′)的第一电流端和所述控制端，其中所述一对耦合器(180、180′、185、185′)具有耦合因子(k_c)。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，

所述一对耦合器(180、180′、185、185′)中的每一个耦合器包括主路径和耦合路径，

所述一对耦合器(180、180′、185、185′)中的第一耦合器(180、180′)通过所述主路径耦合到所述一对晶体管(130、130′、135、135′)中的一个晶体管(130、130′)并且通过所述耦合路径耦合到所述一对晶体管(130、130′、135、135′)中的另一个晶体管(135、135′)，

所述一对耦合器(180、180′、185、185′)中的第二耦合器(180、180′)通过所述主路径耦合到所述一对晶体管(130、130′、135、135′)中的所述另一个晶体管(135、135′)并且通过所述耦合路径耦合到所述一对晶体管(130、130′、135、135′)中的所述一个晶体管(130、130′)。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，

所述一对耦合器(180、180′、185、185′)的所述耦合路径通过互连彼此连接，

所述一对耦合器(180、180′、185、185′)的所述耦合路径形成耦合所述一对晶体管(130、130′、135、135′)的所述控制端的串联电路。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，

所述共同偏置电压(V_bias)被馈送到所述互连中。

5.根据在前的任一项权利要求所述的电路，其特征在于，进一步包括：

偏置电压源(160)，所述偏置电压源(160)被布置成通过偏置电阻器(165)供应所述共同偏置电压(V_bias)。

6.根据在前的任一项权利要求所述的电路，其特征在于，

所述一对耦合器是一对耦合变压器和一对基于传输线的耦合器中的一个。

7.根据在前的任一项权利要求所述的电路，其特征在于，进一步包括：

差分变压器(150)，所述差分变压器(150)具有初级线圈(155)和次级线圈(156)，所述初级线圈(155)插入在所述晶体管(130、130′、135、135′)的第一电流端之间，所述次级线圈(156)耦合在具有两个变容管(220、225)的闭合串联电路中，所述两个变容管(220、225)被布置成通过第一共同调谐电压(V_tune1)进行调谐；和

串联电路，所述串联电路包括串联耦合到所述晶体管(130、130′、135、135′)的第二电流端的两个另外的变容管(170、175)，其中所述两个另外的变容管(170、175)被布置成通过第二共同调谐电压(V_tune2)进行调谐。

8.根据在前的任一项权利要求所述的电路，其特征在于，进一步包括：

反馈电容器(120、125)，所述反馈电容器(120、125)中的每一个耦合在所述晶体管(130、130′、135、135′)中的相应晶体管的所述第一电流端与所述第二电流端之间。

9.根据在前的任一项权利要求所述的电路，其特征在于，进一步包括：

偏置电流源(190)，所述偏置电流源(190)耦合在所述一对晶体管(130、130′、135、135′)的所述第二电流端与参考电位之间。

10.根据在前的任一项权利要求所述的电路，其特征在于，

所述电路是考毕兹差分电压控制器振荡器(100)。