[发明专利]一种窄带热辐射器及其制作方法在审
| 申请号： | 201910549662.7 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110274688A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 谭永胜;李秀东 | 申请（专利权）人： | 绍兴文理学院 |
| 主分类号： | G01J3/12 | 分类号： | G01J3/12;G01J3/02 |
| 代理公司： | 绍兴市寅越专利代理事务所(普通合伙) 33285 | 代理人： | 焦亚如 |
| 地址： | 312000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热辐射器 窄带 二硅化钛 薄膜 硅基体 二氧化硅薄膜 制作 高温稳定性 周期性排布 硅基工艺 红外光谱 接触特性 热稳定性 图形阵列 保护层 兼容性 底面 覆盖 刻蚀 量产 沉积 裸露 侧面 | ||
1.一种窄带热辐射器，其特征在于：包括硅基体，所述硅基体的表面刻蚀形成周期性排布的图形阵列，图形的底面以及侧面沉积有二硅化钛薄膜，二氧化硅薄膜覆盖二硅化钛薄膜以及裸露的硅基体表面。
2.根据权利要求1所述的一种窄带热辐射器，其特征在于：所述二硅化钛薄膜的厚度为10纳米～100纳米。
3.根据权利要求1所述的一种窄带热辐射器，其特征在于：所述二氧化硅薄膜的厚度为10纳米～80纳米。
4.根据权利要求1所述的一种窄带热辐射器，其特征在于：所述图形的排布周期为1微米～2微米。
5.根据权利要求1所述的一种窄带热辐射器，其特征在于：所述图形阵列中的每个图形尺寸相同，图形底面处的二氧化硅薄膜表层至硅基体表面处的二氧化硅薄膜表层的高度为0.2微米～0.8微米。
6.根据权利要求1所述的一种窄带热辐射器，其特征在于：相邻图形的间距为0.2微米～0.7微米。
7.根据权利要求1所述的一种窄带热辐射器，其特征在于：所述图形为正方形或长槽形结构。
8.一种窄带热辐射器的制作方法，其特征在于：包括以下步骤，
(1)在硅基体表面热氧化形成二氧化硅薄膜；
(2)在步骤(1)中二氧化硅薄膜上涂覆光刻胶，并用光刻掩膜版曝光、显影形成平面图形；
(3)对平面图形处的二氧化硅薄膜以及二氧化硅薄膜下的硅进行刻蚀，形成周期性排布的图形阵列；
(4)在步骤(3)刻蚀后的硅基体表面沉积金属钛薄膜；
(5)退火形成二硅化钛薄膜，保留图形底面以及侧面的二硅化钛薄膜，去除未反应的金属钛薄膜以及去除硅基体剩余位置处的二硅化钛薄膜和二氧化硅薄膜；
(6)在经过步骤(5)后的硅基体表面沉积二氧化硅薄膜，令二氧化硅薄膜覆盖硅基体表面以及二硅化钛薄膜。
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