[发明专利]耐高电压二次安全保护元件的制造方法在审
| 申请号： | 201910548187.1 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110335731A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 梁凤梅;田宗谦 | 申请（专利权）人： | 深圳市金瑞电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01C17/28 | 分类号： | H01C17/28;H01C17/00 |
| 代理公司： | 深圳市华优知识产权代理事务所(普通合伙) 44319 | 代理人： | 余薇 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区观湖*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 安全保护元件 耐高电压 层叠片 制造 导槽 铜箔 压合 芯片上下表面 自动化生产 半固化片 表面焊接 材料成本 工作效率 人工成本 上下表面 上下两端 外层线路 制造成本 制造工艺 插件式 支架式 镀银 锡膏 填充 芯片 | ||
1.一种耐高电压二次安全保护元件的制造方法，其特征在于，包括：
形成耐高电压二次安全保护元件芯片；
将半固化片压合在所述耐高电压二次安全保护元件芯片上下表面而形成层叠片；
在所述层叠片上下两端形成导槽，并在导槽内填充锡膏；
将铜箔压合在所述层叠片上下表面；以及
在铜箔上通过PCB加工方式形成外层线路。
2.根据权利要求1所述的耐高电压二次安全保护元件的制造方法，其特征在于，所述在铜箔上通过PCB加工方式形成外层线路，包括：将铜箔与所述导槽内锡膏导通而形成焊盘。
3.根据权利要求2所述的耐高电压二次安全保护元件的制造方法，其特征在于，所述将铜箔与所述导槽内锡膏导通而形成焊盘是通过曝光、显影和蚀刻形成的。
4.根据权利要求1所述的耐高电压二次安全保护元件的制造方法，其特征在于，在所述形成耐高电压二次安全保护元件芯片之后，还包括：对耐高电压二次安全保护元件芯片进行辐照交联。
5.根据权利要求3所述的耐高电压二次安全保护元件的制造方法，其特征在于，所述辐照交联的辐照剂量为20至200KGY。
6.根据权利要求3所述的耐高电压二次安全保护元件的制造方法，其特征在于，所述辐照交联是通过Co-60进行的。
7.根据权利要求1所述的耐高电压二次安全保护元件的制造方法，其特征在于，所述在铜箔上通过PCB加工方式形成外层线路，包括：通过沉铜镀锡形成外层电极。
8.根据权利要求1所述的耐高电压二次安全保护元件的制造方法，其特征在于，所述耐高电压二次安全保护元件芯片是通过挤出覆膜和压合形成的。
9.根据权利要求1所述的耐高电压二次安全保护元件的制造方法，其特征在于，所述导槽是通过蚀刻形成的。
10.根据权利要求1所述的耐高电压二次安全保护元件的制造方法，其特征在于，还包括：将锡膏与耐高电压二次安全保护元件芯片的电极连接而形成引出电极。
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