[发明专利]一种基于离子交换玻璃基底薄膜沉积方法在审
| 申请号： | 201910534672.3 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110330237A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 张文杰;赵志敏;刘振鲁;李琳 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C03C21/00 | 分类号： | C03C21/00;C03C17/34 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子交换玻璃 沉积 三氧化二铝薄膜 阻挡层 基底薄膜 碱硅酸盐 基底 碱金属熔融盐 离子交换处理 物理气相沉积 真空镀膜系统 玻璃 浸入 触摸显示 介质薄膜 离子交换 室温条件 钾离子 钠离子 有效地 薄膜 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于离子交换玻璃基底薄膜沉积方法，其特征在于：包括如下步骤：
(1)将含有钠离子的碱硅酸盐玻璃浸入含有钾离子的碱金属熔融盐中，进行离子交换处理；
(2)将离子交换后的碱硅酸盐玻璃置于真空镀膜系统中，室温条件下沉积三氧化二铝薄膜阻挡层；
(3)于25-350℃条件下，在三氧化二铝薄膜阻挡层上沉积介质薄膜。
2.根据权利要求1所述的基于离子交换玻璃基底薄膜沉积方法，其特征在于：所述步骤(2)采用反应磁控溅射或电子束蒸发氩离子束方法沉积三氧化二铝薄膜阻挡层。
3.根据权利要求2所述的基于离子交换玻璃基底薄膜沉积方法，其特征在于：所述反应磁控溅射方法使用的靶材为铝靶材。
4.根据权利要求2所述的基于离子交换玻璃基底薄膜沉积方法，其特征在于：所述电子束蒸发氩离子束方法使用的靶材为三氧化二铝靶材。
5.根据权利要求1所述的基于离子交换玻璃基底薄膜沉积方法，其特征在于：所述步骤(3)的介质薄膜为透明导电薄膜或增透薄膜。
6.根据权利要求5所述的基于离子交换玻璃基底薄膜沉积方法，其特征在于：所述透明导电薄膜为锡铟氧化物导电薄膜。
7.根据权利要求5所述的基于离子交换玻璃基底薄膜沉积方法，其特征在于：所述增透薄膜为氟化镁薄膜。
8.根据权利要求1所述的基于离子交换玻璃基底薄膜沉积方法，其特征在于：所述步骤(3)的沉积方法采用物理气相沉积方法。
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