[发明专利]显示装置

说明书

本申请涉及显示装置，显示装置包括发光元件。第一晶体管将驱动电流传输到发光元件。第二晶体管连接到第一晶体管的第一电极以传输数据信号。第三晶体管具有连接到第一晶体管的第二电极的第一电极。辅助晶体管连接在第三晶体管的第二电极和第一晶体管的栅电极之间，以将数据信号传输到第一晶体管的栅电极。第一晶体管、第二晶体管及辅助晶体管中的每一个是第一类型晶体管，并且第三晶体管是与第一类型晶体管不同的第二类型晶体管。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年6月19日提交的第10-2018-0070129号韩国专利申请和2019年5月28日提交的第10-2019-0062730号韩国专利申请的优先权和权益，上述韩国专利申请出于所有目的通过引用结合于此，如同在本文中完全阐述一样。

技术领域

本发明的示例性实施例大体上涉及显示装置，并且更具体地，涉及具有像素的有机发光显示器，每一个像素包括P-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS晶体管)和N-沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管(NMOS晶体管)。

背景技术

随着多媒体的发展，显示装置变得越来越重要。相应地，正在使用各种类型的显示装置，诸如液晶显示装置和包括自发光元件的显示装置。在它们中，包括自发光元件的显示装置使用自发光元件显示图像。包括自发光元件的显示装置包括向自发光元件提供驱动电流的多个晶体管。

P-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS晶体管)广泛用作显示装置的晶体管。然而，正在进行研究使用N-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS晶体管)或同时使用PMOS晶体管和NMOS晶体管。

PMOS晶体管和NMOS晶体管具有彼此不同的特性。根据寄生电容，它们在反冲电压方向(正或负)上也不同。因此，如果将一些或所有PMOS晶体管变为NMOS晶体管，可改变反冲电压特性。

在背景技术部分中公开的上述信息仅用于理解本发明构思的背景，并且因此，它可能包含不构成现有技术的信息。

发明内容

根据本发明示例性实施例构造的器件能够提供一种防止晶体管的栅极电压被反冲而降低的显示器件。

本发明构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过本发明构思的实践来习得。

根据示例性实施例，显示装置包括发光元件。第一晶体管将驱动电流传输到发光元件。第二晶体管连接到第一晶体管的第一电极以传输数据信号。第三晶体管具有连接到第一晶体管的第二电极的第一电极。辅助晶体管连接在第三晶体管的第二电极和第一晶体管的栅电极之间，以将数据信号传输到第一晶体管的栅电极。第一晶体管、第二晶体管和辅助晶体管中的每一个是第一类型晶体管，并且第三晶体管是与第一类型晶体管不同的第二类型晶体管。

第一类型晶体管可以是P-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS晶体管)，第二类型晶体管可以是N-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS晶体管)。

第一类型晶体管可以是顶栅晶体管，其中栅电极布置在半导体层上方，并且第二类型晶体管可以是底栅晶体管，其中栅电极布置在半导体层下方。

第一类型晶体管可以包括氧化物半导体，并且第二类型晶体管可以包括多晶硅。

显示装置还可包括第四晶体管，连接在第一晶体管的栅电极和初始化电压线之间。这里，第四晶体管可以是第二类型晶体管。

显示装置还可包括：第五晶体管，连接在第一晶体管的第一电极和第一电源电压布线之间；第六晶体管，连接在第一晶体管的第二电极和发光元件的第一电极之间；第七晶体管，连接在发光元件的第一电极和初始化电压线之间；以及存储电容器，形成在第一晶体管的第一电极和第一电源电压布线之间。这里，第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管中的每一个可以是第一类型晶体管。