[发明专利]显示装置在审
申请号: | 201910520204.0 | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN110619849A | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
发明(设计)人: | 罗志洙;边敏雨;李承珪 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | G09G3/3233 | 分类号: | G09G3/3233 |
代理公司: | 11641 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 许振强;杜正国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 辅助晶体管 第二电极 第一电极 发光元件 显示装置 栅电极 传输数据信号 驱动电流传输 数据信号传输 晶体管连接 申请 | ||
1.一种显示装置,包括:
发光元件;
第一晶体管,被配置为将驱动电流传输到所述发光元件;
第二晶体管,连接到所述第一晶体管的第一电极,并被配置为传输数据信号;
第三晶体管,包括连接到所述第一晶体管的第二电极的第一电极;以及
辅助晶体管,连接在所述第三晶体管的第二电极和所述第一晶体管的栅电极之间,并被配置为将所述数据信号传输到所述第一晶体管的所述栅电极,
其中,所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述辅助晶体管中的每一个是第一类型晶体管,以及
其中,所述第三晶体管是与所述第一类型晶体管不同的第二类型晶体管。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一类型晶体管是P-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管,以及
其中,所述第二类型晶体管是N-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一类型晶体管是顶栅晶体管,其中,栅电极布置在半导体层上方,以及
其中,所述第二类型晶体管是底栅晶体管,其中,栅电极布置在半导体层下方。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一类型晶体管包括氧化物半导体,以及
其中,所述第二类型晶体管包括多晶硅。
5.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
连接在所述第一晶体管的栅电极和初始化电压线之间的第四晶体管,
其中,所述第四晶体管是所述第二类型晶体管。
6.根据权利要求5所述的显示装置,还包括:
第五晶体管,连接在所述第一晶体管的第一电极和第一电源电压布线之间;
第六晶体管,连接在所述第一晶体管的第二电极和所述发光二极管的第一电极之间;
第七晶体管,连接在所述发光元件的第一电极和所述初始化电压线之间;以及
存储电容器,形成在所述第一晶体管的第一电极和所述第一电源电压布线之间,
其中,第五晶体管、第六晶体管及第七晶体管中的每一个是所述第一类型晶体管。
7.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
第一扫描线和第二扫描线,
其中,所述第二晶体管的栅电极连接到所述第一扫描线,
其中,所述辅助晶体管的栅电极连接到所述第一扫描线,以及
其中,所述第三晶体管的栅电极连接到所述第二扫描线。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述第二晶体管和所述辅助晶体管被配置为响应于通过所述第一扫描线提供的第一扫描信号在第一时段中导通,以及
其中,所述第三晶体管被配置为响应于通过所述第二扫描线提供的第二扫描信号在所述第一时段中导通。
9.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述第二晶体管和所述辅助晶体管被配置为响应于通过所述第一扫描线提供的第一扫描信号在第一时段中导通,
其中,所述第三晶体管被配置为响应于通过所述第二扫描线提供的第二扫描信号在第二时段中导通,以及
其中,所述第二时段大于所述第一时段并且包括所述第一时段。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述第二扫描信号在所述第二时段中具有导通电压电平,
其中,所述第二扫描信号的所述第二时段与前一时间点的第二扫描信号的第二时段部分地重叠。
11.根据权利要求7所述的显示装置,其中,在平面图中,所述第二扫描线基于所述第一晶体管布置在第一方向上,并且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸,
其中,所述第一扫描线基于所述第二扫描线布置在所述第一方向上并且平行于所述第二扫描线,
其中所述第三晶体管与所述第二扫描线部分地重叠,以及
其中所述辅助晶体管与所述第一扫描线部分地重叠。
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