[发明专利]抛光制品

说明书

本公开涉及抛光制品。抛光制品制造系统包含：进料段和卷取段，所述卷取段包含供应辊，所述供应辊具有抛光制品，所述抛光制品设置在所述供应辊上并用于化学机械抛光工艺；打印段，所述打印段包含设置在所述进料段与所述卷取段之间的多个打印头；以及固化段，所述固化段设置在所述进料段与所述卷取段之间，所述固化段包括热固化装置和电磁固化装置中的一者或两者。

本申请是申请日为2015年10月1日、申请号为201580056366.3、名称为“抛光制品以及用于制造化学机械抛光制品的集成式系统与方法”的中国专利申请(PCT申请号为PCT/US2015/053465)的分案申请。

背景

技术领域

本公开的实施例总体关于用于对基板或晶片的化学机械抛光的装置与方法，更具体地关于抛光制品制造系统以及用于制造化学机械抛光的或抛光垫或抛光制品的方法。

背景技术

在基板上的集成电路以及其他电子器件的制造中，导电材料、半导电材料和电介质材料的多个层被沉积在基板上或从基板的特征侧被去除。连续地将这些材料沉积在基板上并从基板去除这些材料可能使特征侧成为非平面而需要平坦化工艺(一般称为抛光)，其中从基板的特征侧去除先前沉积的材料以形成总体上均匀、平坦或水平的表面。此工艺对移除不期望的表面形貌与表面缺陷(诸如，粗糙的表面、结块的材料、晶格损坏和划伤)是有用的。抛光工艺对于通过去除用于填平特征的过量的所沉积的材料而在基板上形成特征也是有用的，并且旨在提供用于后续沉积与处理的均匀或水平表面。

一种抛光工艺被称为化学机械抛光(CMP)，其中基板被放置在基板载件组件中，并且可控地压靠装配置移动式压盘组件的抛光介质。抛光介质通常是抛光制品或抛光垫。载件组件提供相对于移动式压盘的旋转运动，并且材料去除通过基板的特征侧与抛光介质之间的化学活动、机械研磨或化学活动与机械研磨的组合来完成。

然而，抛光处理导致抛光介质的抛光表面会被“打光”或平滑化，这将降低膜去除速率。随后，抛光介质的表面经“粗糙化”或经调节以恢复抛光表面，这强化了局部流体输送并改善去除速率。典型地，利用涂覆有磨料(诸如，微米尺寸的工业金刚石)的调节盘，在抛光两个晶片过程之间或与抛光晶片并行地调节盘执行调节。调节盘被旋转并被压靠介质表面，并且机械地切割抛光介质的表面。然而，当施加于调节盘的旋转和/或向下力受控时，所述切割动作相对没有章法，并且磨料可能未均匀地切割到抛光表面中，这会跨抛光介质的抛光表面产生表面粗糙度的差异。当调节盘的切割动作未适当地受控时，介质寿命可能缩短。此外，调节盘的切割动作有时会在抛光表面产生大的凹凸以及垫碎片。虽然这些凹凸在抛光工艺中是有益的，但是凹凸在抛光期间会挣脱，从而产生碎片，所述碎片与来自切割动作的垫碎片一起导致基板中的缺陷。

已执行作用于抛光制品的抛光表面的众多其他的方法与系统以试图提供对抛光表面的均匀的调节。然而，对期间和系统的控制(例如，切割动作、向下力或其他度量)仍不尽如人意，并且可能因抛光介质本身的性质而受挫。例如，诸如垫介质的硬度和/或密度等性质可能是非均匀的，这导致对抛光表面的一些部分相对于其他部分的更激进的调节。

因此，需要具有促进均匀的抛光和调节的性质的抛光制品。

发明内容

本公开的实施例总体上关于用于基板或晶片的化学机械抛光的设备和方法，更具体地关于抛光制品、抛光制品制造系统以及制造用于化学机械抛光的抛光制品的方法。

在一个实施例中，抛光制品制造系统包括：进料段和卷取段，所述卷取段包括供应辊，所述供应辊具有抛光制品，所述抛光制品设置在所述供应辊上并用于化学机械抛光工艺；打印段；所述打印段包括设置在所述进料段与所述卷取段之间的多个打印头；以及固化段，所述固化段设置在所述进料段与所述卷取段之间，所述固化段包括热固化装置和电磁固化装置中的一者或两者。