[发明专利]一种基于器件失效来源的MMC可靠性分析方法在审

专利信息
申请号: 201910486143.0 申请日: 2019-06-05
公开(公告)号: CN110376449A 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 王跃;吕高泰;尹太元;雷万钧;宣佳卓;王朝亮 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00;H02J3/36;H02M7/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 范巍
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 可靠性分析 元器件 器件失效 失效率 系统级 正常运行条件 可靠性设计 分析过程 极端条件 冗余方式 失效因子 实际工程 优化系统 电应力 热备用 子模块 半桥 可用 均衡 参考 评估 改进 分析
【权利要求书】:

1.一种基于器件失效来源的MMC可靠性分析方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)在仿真软件中搭建MMC模型,并将MMC系统电气参数和运行参数输入至该模型,通过仿真得到MMC子模块中关键器件的具体应力;

(2)根据步骤(1)中所得应力通过可靠性手册相关公式计算IGBT和电容失效率;

(3)根据MMC子模块具体拓扑的不同以及元器件在MMC子模块中所执行的功能,通过可靠性框图得到MMC子模块的可靠性;

(4)针对不同冗余备用方式得到MMC子模块可靠性与单桥臂可靠性的关系,从而通过可靠性框图得到系统级可靠性;

(5)结合步骤(2)、(3)和(4)计算出正常运行工况下MMC可靠性;

(6)针对可靠性手册中器件失效系数分析不同失效来源对MMC系统级可靠性的影响。

2.根据权利要求1所述的一种基于器件失效来源的MMC可靠性分析方法,其特征在于,步骤(2)中,使用(1)中所搭建的MMC模型得到仿真结果,通过查找可靠性手册公式得到IGBT和电容失效率与所受应力的关系:

式中,λI和λC为IGBT和电容失效率,C为电容值,Pr为平均功率,VA为运行中使用电压,VR为额定电压。

3.根据权利要求2所述的一种基于器件失效来源的MMC可靠性分析方法,其特征在于,步骤(5)中,通过可靠性框图根据模块中的各元器件的必要性得到子模块故障率:

λSM=2λITScapcon

式中,λITScapcon分别为IGBT,晶闸管,旁路开关,电容以及控制系统的失效率,根据所得子模块故障率可得到子模块可靠性:

RSM=exp(-λSMt)

考虑到冗余备用问题,使用主动备用策略时单桥臂可靠性服从k/n(G)模型:

p=RSM(t)

q=1-RSM(t)

式中,k为正常运行子模块数,n为总子模块数,正常运行中MMC各桥臂对于系统来说是必不可少的,故各桥臂可靠性在可靠性框图中表现为串联结构,即:

RMMC=(Ra×RL)6

式中,RL是桥臂电抗器的可靠性,可从文献和可靠性手册中获取,由此能够得到考虑关键器件所受应力情况下MMC的可靠性。

4.根据权利要求3所述的一种基于器件失效来源的MMC可靠性分析方法,其特征在于,步骤(6)中,在给定器件额定值的情况下,对不同来源的器件应力进行控制变量分析,分别计算理想条件下温度和电压从正常运行到额定最大值MMC系统的可靠性;通过正常运行和极端情况下器件所受不同应力的对比,得到温度和电压对MMC系统可靠性的影响:

式中,λI1和λC1为考虑温度因素后IGBT和电容失效率,Tj和T分别为IGBT结温和电容温度。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910486143.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top