[发明专利]一种三维漏磁及磁记忆管道缺陷检测系统在审
| 申请号： | 201910472695.6 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110082425A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 方泽昊;沈常宇;李光海 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | G01N27/83 | 分类号： | G01N27/83 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 交变电磁场 漏磁场 管道缺陷检测 铁磁性材料 航空插头 磁记忆 漏磁 三路 三维 预处理 金属磁记忆检测 交流激励信号 信号调理模块 应力集中区域 铜箔屏蔽层 采样数据 电源模块 滑动滚轮 检测对象 漏磁检测 模块输出 可替换 上位机 调理 位机 载具 损伤 传输 检测 应用 发现 | ||
【权利要求书】：
1.一种三维漏磁及磁记忆管道缺陷检测系统，由上位机（1），载具（2），航空插头（3），C型磁芯（4），线圈（5），可替换滑动滚轮（6），铜箔屏蔽层（7），信号调理模块（8），TLV493模块（9），STM32单片机模块（10），电源模块（11）；其特征在于：载具（2）通过可替换滑动滚轮（6）在被测的铁磁性试件上移动； STM32单片机模块（10）由电源模块（11）提供工作电压；TLV493模块（9）通过导线与信号调理模块（8）相连接，经过调理的电信号通过导线连接到航空插头（3），由航空插头（3）传输到上位机（1）；STM32单片机模块（10）为线圈（5）提供20Hz交流激励信号；线圈（5）的漆包线直径为0.49mm，安匝数为1000匝；C型磁芯（4）的内开角为270度，内径47.5cm，外径57.5cm，宽60cm。
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