[发明专利]压力控制方法及系统

说明书

本发明提供一种压力控制方法及系统，用于对传输平台中的腔室进行压力控制，该方法包括以下步骤：S1：对所述腔室进行本底抽气，直至所述腔室的压力达到预设本底压力值；S2：向所述腔室充气，在第一设定时间后停止充气；S3：以预定抽气速度对所述腔室进行抽气，直至所述腔室中的压力达到目标压力值为止。通过本发明，降低了传输平台的压力控制成本。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种压力控制方法及系统。

背景技术

半导体工艺通常是通过物理、化学等手段对硅片进行某种处理，而完成工艺过程的设备称为半导体装备。半导体装备中对硅片的处理通常是在一个真空环境下的密闭容器中进行的，该部分称为工艺腔室。半导体装备中除了工艺腔室外还具有传输平台，传输平台包括传输腔室和过渡腔室，传输腔室内需要保持真空环境，而过渡腔室则是在真空状态与大气状态下进行转换，其腔室压力状态的控制同样会影响工艺腔室硅片的工艺状态；传输腔室在传送硅片的过程中，与工艺反应腔室直接连通，因而传输腔室的真空度会直接影响工艺反应腔室中气体污染、颗粒控制等情况；由于集成电路中沟槽和线宽尺寸很小，微小的颗粒都能够对硅片工艺结果造成很大的损害，因此如何将传输平台中各腔室的压力，控制在一个适合的范围内就显得尤为重要。

针对申请号为：CN201010530089.4，发明名称为：传输腔室的压强控制方法、装置及等离子体设备的专利，其公开了一种传输腔室的压强控制方法，通过分析预置数据采集周期内传输腔室的压强，实时监控传输腔室内的气压。当前压强处于预置目标压强范围内时，利用传输腔室当前压强的大小和压强变化速率，根据相应的算法对传输腔室内的压强进行分析，获得当前的充气流量，并进一步控制充气阀的打开状态，动态的调节充气流量，使传输腔室的抽气速率和充气速率快速达到平衡，从而实现了对传输腔室压强控制的目的。然而采用该专利实现的传输腔室的强控制方法，控制系统结构复杂，并且成本较高，不容易实现。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种压力控制方法及系统，以降低了传输平台中各腔室的压力控制的成本。

为实现本发明的目的而提供一种压力控制方法，用于对传输平台中的腔室进行压力控制，所述方法包括以下步骤：

S1：对所述腔室进行本底抽气，直至所述腔室的压力达到预设本底压力值；S2：向所述腔室充气，在第一设定时间后停止充气；

S3：以预定抽气速度对所述腔室进行抽气，直至所述腔室中的压力达到目标压力值为止。

优选地，所述腔室为传输腔室或过渡腔室。

优选地，在所述步骤S1之前，所述方法还包括步骤S0：

判断传输平台中腔室的压力是否为所述目标压力值：若否，执行步骤S1；若是，返回执行步骤S0。

优选地，在所述步骤S3之后，还包括：返回执行步骤S0。

优选地，同时控制所述传输腔室以及所述过渡腔室压力时，所述传输腔室的目标压力值与所述过渡腔室的目标压力值相同。

优选地，所述目标压力值的大小为1～10Torr。

优选地，所述第一设定时间为1s。

优选地，在所述步骤S2中，通过调节向所述腔室充气的进气量来调节控压耗时。

一种压力控制系统，用于对传输平台中的腔室进行压力控制，所述系统包括：气体源、真空泵、压力传感器、第一开关、第二开关以及处理器；

所述压力传感器用于检测传输平台中腔室的压力，并将所述压力传输给所述处理器；

所述第一开关设置在所述气体源与所述腔室之间的气路上；

所述第二开关设置在所述真空泵与所述腔室之间的气路上；