[发明专利]一种有源偏置网络及一种射频功率放大器有效
| 申请号: | 201910463657.4 | 申请日: | 2019-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN110190824B | 公开(公告)日: | 2023-02-07 |
| 发明(设计)人: | 曾凡杰;蓝焕青;章国豪 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
| 主分类号: | H03F3/24 | 分类号: | H03F3/24;H03F1/34 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
| 地址: | 510060 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 有源 偏置 网络 射频 功率放大器 | ||
本申请公开了一种有源偏置网络,包括有源温度补偿模块,有源线性模块,有源配合模块,第一HBT管,第二HBT管,第一电阻,第二电阻,第一电容,第二电容;第一电容第一端作为信号输入端,第二电容第一端作为信号输出端;第一HBT管基极与第一电阻第一端、第一电容第二端连接,其集电极与有源配合模块输出端、第二电容第二端连接;第二HBT管基极通过第二电阻与第一电阻第二端、有源线性模块第一输出端连接,其集电极与有源温度补偿模块第一输出端连接;有源温度补偿模块第二输出端与有源线性模块第二输出端连接。由上,本发明通过有源温度补偿模块完成温度补偿,使得温度变化时静态工作点仍稳定。本申请还相应公开了一种射频功率放大器。
技术领域
本发明涉及通信电路设计领域,特别涉及一种有源偏置网络及一种射频功率放大器。
背景技术
随着现有移动通信技术要求的提高,尤其是移动通信信号的均峰比的提高,都对移动终端中射频功率放大器提出了极为苛刻的高线性要求,这与功率放大器在不同温度的稳定性是不可分开的,功率放大器在不同温度保持稳定的静态工作点,不仅可以降低射频功率放大器的影响,还可以有效改善高低温情况的线性度以及效率。
HBT(Heterojunction bipolar transistor,异质结双极晶体管)具有很强的热敏感性,因此经常会采用基于偏置电路的温度补偿来降低温度对HBT管的影响。而为了使射频功率放大器中的HBT管正常工作,通常需要采用合适的有源偏置网络,来保证HBT可以提供一个合适的静态工作点。
目前已采用的有源偏置网络技术方案如图1或图2所示,图1中晶体管HBT2与HBT3采用二极管接法,其中电阻R0起到温度补偿的作用;图2采用电流镜结构,其中晶体管HBT0与HBT2构成一个电流镜,其中电阻R0起到温度补偿的作用。两种方案中均由电阻R0承担温度补偿的作用,如果电阻R0过大,则功率放大器HBT0的线性特性反而会极大恶化,进而影响整个射频功率放大器的线性度以及功率附加效率。
因此,如何提供一种解决上述技术问题的方案是目前本领域技术人员需要解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种稳定有效实现温度补偿的有源偏置网络及一种射频功率放大器。其具体方案如下:
一种有源偏置网络,应用于射频功率放大器,包括有源温度补偿模块,使该有源偏置网络与输入信号自适应的有源线性模块,有源配合模块,第一HBT管,第二HBT管,第一电阻,第二电阻,第一电容,第二电容;其中:
所述第一电容的第一端作为信号输入端,所述第二电容的第一端作为信号输出端;
所述第一HBT管的基极与所述第一电阻的第一端、所述第一电容的第二端连接,其集电极与所述有源配合模块的输出端、所述第二电容的第二端连接,其发射极接地;
所述第二HBT管的基极通过所述第二电阻与所述第一电阻的第二端、所述有源线性模块的第一输出端连接,其集电极与所述有源温度补偿模块的第一输出端连接,其发射极接地;
所述有源温度补偿模块的第二输出端与所述有源线性模块的第二输出端连接;
其中所述有源温度补偿模块具体为同相放大器结构电路或差分结构电路。
优选的,所述有源温度补偿模块具体为两级同相放大器结构电路。
优选的,所述两级同相放大器结构电路具体包括第三HBT管,第四HBT管,第三电容,第三电阻,第四电阻,第五电阻,第六电阻,第七电阻,第八电阻,其中:
所述第三电阻的第一端、所述第四电阻的第一端、所述第五电阻的第一端均与第一预设电源连接;
所述第三电阻的第二端与所述第六电阻的第一端连接后作为所述有源温度补偿模块的第一输出端;
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