[发明专利]一种用于太阳能电池的全介质超表面陷光结构及其制备方法

权利要求书

1.一种提升薄膜硅电池效率的周期性全介质超表面陷光结构，其特征在于，

(1)该结构具有：

结构体每个周期的中心为非对称的十字梯形，其长度高度均可改变，变化范围在100-500nm；

每个周期的四个角分布有对称的纳米方块，其边长可以改变，变化范围为40-150nm；

(2)周期性全介质超表面陷光结构的制备方法，包含以下步骤：

在硅基底上形成抗蚀剂薄膜的步骤；

在抗蚀剂薄膜上进行电子束曝光，在抗蚀剂薄膜上留下周期性潜像的步骤；

在电子束曝光之后，通过显影在抗蚀剂薄膜上形成上述结构的步骤；

以显影后的抗蚀剂为掩膜，在硅上干法刻蚀出周期性超表面陷光结构的步骤。

2.如权利要求1所述的一种提升薄膜硅电池效率的周期性全介质超表面陷光结构，其特征在于：所述非对称的十字梯形的最佳长度为375nm。

3.如权利要求1所述的一种提升薄膜硅电池效率的周期性全介质超表面陷光结构，其特征在于：所述对称的纳米方块的最佳边长为80nm。

4.如权利要求1所述的一种提升薄膜硅电池效率的周期性全介质超表面陷光结构，其特征在于，该周期性超表面陷光结构的制造方法具有以下工序：

使用电子束直写光刻结合干法刻蚀的方法制造表面具有超表面陷光结构的工序。