[发明专利]一种电致发光器件和制作方法在审
申请号: | 201910432883.6 | 申请日: | 2019-05-23 |
公开(公告)号: | CN110120458A | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 王琳琳;闫光 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;C09K11/88 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光器件 电致发光 高功率效率 光转换层 高显色指数 衬底基板 蓝光转换 显色指数 发光层 出射 红光 蓝光 制作 发光 | ||
1.一种电致发光器件,其特征在于,包括:位于衬底基板之上的电致发光结构,以及位于所述电致发光结构出光侧的光转换层;其中,所述电致发光结构包括单独出射蓝光的第一发光层,所述光转换层将所述第一发光层出射的部分蓝光转换为红光。
2.如权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,所述光转换层的材料为核-壳结构的量子点。
3.如权利要求2所述的电致发光器件,其特征在于,所述光转换层的材料为CdSe/ZnS,其中,CdSe为核-壳结构中核心的材料,ZnS为核-壳结构中外壳的材料。
4.如权利要求3所述的电致发光器件,其特征在于,所述光转换层出射的红光的光谱半高宽大于55nm。
5.如权利要求1-4任一项所述的电致发光器件,其特征在于,所述光转换层背离所述电致发光结构的一面还设置有保护层。
6.如权利要求5所述的电致发光器件,其特征在于,所述保护层的材料为二氧化硅。
7.如权利要求1-4任一项所述的电致发光器件,其特征在于,所述电致发光结构还包括位于所述第一发光层背向出光侧一面的第二发光层,所述第一发光层出射的光与所述第二发光层出射的光混合形成白光。
8.如权利要求7所述的电致发光器件,其特征在于,所述第二发光层为出射红光和黄光的混合层。
9.如权利要求7所述的电致发光器件,其特征在于,所述第一发光层与所述第二发光层之间还具有连接层。
10.如权利要求9所述的电致发光器件,其特征在于,所述电致发光结构还包括:位于所述第二发光层的背离所述第一发光层一面的阳极层,以及位于所述第一发光层的背离所述第二发光层一面的阴极层。
11.如权利要求10所述的电致发光器件,其特征在于,所述阳极层的材料为氧化铟锡,所述阴极层的材料为Mg/Ag;
所述光转换层位于所述阴极层的背离所述第一发光层的一面。
12.如权利要求10所述的电致发光器件,其特征在于,所述阳极层的材料为氧化铟锡,所述阴极层的材料为铝;
所述光转换层位于所述阳极层的背离所述第二发光层的一面。
13.如权利要求10所述的电致发光器件,其特征在于,所述电致发光结构还包括:位于所述阳极层与所述第二发光层之间的第一空穴注入层、位于所述第二发光层与所述连接层之间的第一电子传输层、位于所述连接层与所述第一发光层之间的空穴传输层、位于所述空穴传输层与所述第一发光层之间的第二空穴注入层、位于所述第一发光层与所述阴极层之间的第二电子传输层。
14.一种制作如权利要求1-13任一项所述电致发光器件的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板之上形成电致发光结构;
在所述电致发光结构的出光侧形成光转换层。
15.如权利要求14所述的制作方法,其特征在于,所述在所述电致发光结构的出光侧形成光转换层包括:
将十八胺与三辛基磷以质量比为1:1进行混合反应,形成CdSe/ZnS核-壳结构量子点;
将所述CdSe/ZnS核-壳结构量子点形成于所述电致发光结构的出光侧。
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