[发明专利]显示面板及显示装置有效
申请号: | 201910402932.1 | 申请日: | 2019-05-15 |
公开(公告)号: | CN110137372B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 施伟;刘宏俊 | 申请(专利权)人: | 苏州清越光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 黄易;王程 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底;
第一电极,设于所述衬底上;
第二电极,相对所述第一电极设置,所述第一电极和所述第二电极构成矩阵以界定出阵列排布的多个子像素区域;及
多个子像素,设于对应的所述子像素区域,每一所述子像素包括多个彼此绝缘隔离的孙像素,构成矩阵的同一列排布的所述子像素共用一个所述第一电极,同一行排布的所述子像素共用一个所述第二电极;
位于所述第一电极上的多个绝缘墙,每一所述子像素中的多个所述孙像素被对应的所述绝缘墙分隔开来且相互绝缘;
每一所述绝缘墙具有多层结构,至少两相邻层结构之间形成有台阶;
形成台阶且位于上层的结构的底表面的宽度,大于形成台阶且位于下层的结构的顶表面的宽度。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
位于所述第一电极上的像素定义层;
所述像素定义层具有多个子像素开口,所述绝缘墙将每个所述子像素开口分隔成多个孙像素开口。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,每一所述子像素开口中的所述孙像素开口的形状、尺寸相同。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,每一所述孙像素开口的面积小于0.04μm2。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在背离所述衬底的方向上,所述绝缘墙依次具有平行于所述衬底的第一横截面和第二横截面;
所述第一横截面在所述衬底上的正投影位于所述第二横截面在所述衬底上的正投影范围内。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘墙在垂直于所述衬底且垂直于所述绝缘墙的延伸方向上的截面形状为倒梯形;
其中,所述绝缘墙的延伸方向平行于所述衬底。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘墙为有机材料绝缘墙。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘墙为聚酰亚胺绝缘墙。
9.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘墙与所述像素定义层的材料相同;或
所述绝缘墙与所述像素定义层的材料相异。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~9任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择