[发明专利]基于片上连续可调电感的压控振荡器在审
| 申请号： | 201910383103.3 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110166003A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 唐枋;王忠杰;徐梓丞 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H03B5/12 | 分类号： | H03B5/12 |
| 代理公司： | 重庆上义众和专利代理事务所(普通合伙) 50225 | 代理人： | 水淼 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压控振荡器 片上电感 连续可调电感 低阻导体 振荡频率 主体结构 电容 大芯片 电路 外围 金属 占据 | ||
【权利要求书】：
1.基于片上连续可调电感的压控振荡器，其特征在于：包括不同金属层次且没有互相接触的片上电感、低阻导体环，所述片上电感主体结构呈环形且叠放在中间，所述片上电感外围设有低阻导体环。
2.根据权利要求1所述的基于片上连续可调电感的压控振荡器，其特征在于：所述低阻导体环呈环形围绕在片上电感外围。
3.根据权利要求1所述的基于片上连续可调电感的压控振荡器，其特征在于：所述片上电感、低阻导体环均采用金属材料制成。
4.根据权利要求1所述的基于片上连续可调电感的压控振荡器，其特征在于：所述片上电感工作时，频变磁场通过低阻导体环，根据法拉第电磁感应定律，低阻导体环中产生感应电流。
5.根据权利要求4所述的基于片上连续可调电感的压控振荡器，其特征在于：所述感应电流与片上电感内部信号线电流方向相反，所述低阻导体环与片上电感之间产生互感，所述片上电感单位长度的等效电感减小。
6.根据权利要求1所述的基于片上连续可调电感的压控振荡器，其特征在于：所述低阻导体环内部串联可变电阻，可变电阻阻值变化，所述低阻导体环中产生的感应电流跟随变化，所述片上电感的等效电感跟随变化。
7.根据权利要求6所述的基于片上连续可调电感的压控振荡器，其特征在于：所述可变电阻采用NMOS管或PMOS管，所述可变电阻阻值跟随NMOS管或PMOS管栅极电压改变而改变。
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