[发明专利]顶针装置在审
申请号: | 201910378435.2 | 申请日: | 2019-05-08 |
公开(公告)号: | CN111916389A | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 蔡俊伟 | 申请(专利权)人: | 致茂电子(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 215129 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 顶针 装置 | ||
本发明提供一种顶针装置,用以顶出薄膜上的芯片,芯片于第一方向具有第一长度,且于第二方向具有第一宽度。所述顶针装置包含顶针盖,所述顶针盖定义有接触面。接触面上具有顶针孔,顶针孔具有于第一方向具有第二长度,且于第二方向具有第二宽度。其中接触面用以接触薄膜,当第一长度大于第二长度时,第一宽度不大于第二宽度。当第一宽度大于第二宽度时,第一长度不大于第二长度。
技术领域
本发明是有关于一种顶针装置,特别是关于一种用于顶出薄膜上的芯片的顶针装置。
背景技术
传统上,晶圆在完成全部的半导体制程后,需要进行对准与切割的步骤,使得晶圆可以被分成具有特定功能的多个芯片,而切割下来的多个芯片通常会被粘贴在薄膜上且有规律地排列。一般来说,利用薄膜粘贴芯片的好处在于可以避免芯片之间的碰撞与摩擦,减少运送过程产生的损坏。并且,由于是暂时性地用粘性材料固定芯片,拿取芯片的过程较为简易,且不需要复杂的精密设备,可以增加拿取芯片的效率。
举例来说,传统上在拿取芯片时,经常使用顶针在薄膜下方推顶芯片,待芯片翘起或脱离薄膜后,再将芯片吸出或镊出。但是,由于薄膜不同区域的粘性可能略有不同,顶针推顶芯片时往往不一定能确实使芯片翘起或脱离薄膜,有很大的可能无法顺利将芯片吸出或镊出。此外,芯片如果是长条形或结构较为脆弱者,更是有可能在顶针推顶芯片时,直接造成芯片断裂或破损。因此,业界需要一种新的顶针装置,在顶针推顶薄膜上的芯片时,能使芯片更容易脱离薄膜,并且可以降低芯片断裂或破损的机率。
发明内容
有鉴于此,本发明提出一种顶针装置,具有更佳的顶针盖设计,使芯片能更容易脱离薄膜,并且可以降低芯片断裂或破损的机率。
本发明提出一种顶针装置,用以顶出薄膜上的芯片,芯片于第一方向具有第一长度,且于第二方向具有第一宽度。所述顶针装置包含顶针盖,所述顶针盖定义有接触面。接触面上具有顶针孔,顶针孔具有于第一方向具有第二长度,且于第二方向具有第二宽度。其中接触面用以接触薄膜,当第一长度大于第二长度时,第一宽度不大于第二宽度,或者,当第一宽度大于第二宽度时,第一长度不大于第二长度。
于一实施例中,顶针盖的接触面上更可以具有多个抽气孔,所述多个抽气孔连通抽气系统,当接触面接触薄膜时,抽气系统经由所述多个抽气孔提供负压以吸附薄膜。在此,顶针盖的接触面上可以具有第一凹陷,第一凹陷延伸于第一方向,且至少部分的抽气孔设置于第一凹陷中。顶针盖的接触面上也可以具有第二凹陷,第二凹陷延伸于第二方向,且至少部分的抽气孔设置于第二凹陷中。顶针盖的接触面上更可以具有第三凹陷,第三凹陷围绕顶针孔,且至少部分的抽气孔设置于第三凹陷中。以及,顶针盖的接触面上更具有多个第四凹陷,每一个抽气孔对应其中一个第四凹陷,每一个第四凹陷于接触面的面积大于其中一个抽气孔于接触面的面积。
于一实施例中,顶针装置可以具有第一顶针,第一顶针选择性地由顶针孔凸出接触面,第一顶针的顶面于第一方向具有第三长度,顶面于第二方向具有第三宽度,且第三长度大于第三宽度。另外,顶针装置也可以第二顶针和第三顶针,第二顶针和第三顶针选择性地由顶针孔凸出接触面,第二顶针和第三顶针间隔第一距离,第一距离与第二长度的比值在0.3到0.7之间。
于一实施例中,顶针孔可以为矩形,且第二长度为矩形的长边的长度,第二宽度为矩形的短边的长度。此外,顶针孔也可以为椭圆形,且第二长度为椭圆形的长轴的长度,第二宽度为椭圆形的短轴的长度。
综上所述,本发明提供的顶针装置,设计了新的顶针盖,所述顶针盖上的顶针孔不仅可以让顶针自由穿出,且顶针孔的其中一边的长度小于芯片对应边的长度。因此,当薄膜略陷于顶针孔中的同时,可以将芯片挡在接触面上,使芯片能更容易脱离薄膜,并且可以降低芯片断裂或破损的机率。
有关本发明的其它功效及实施例的详细内容,配合附图说明如下。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造