[发明专利]具有自检测功能的半导体装置在审
申请号: | 201910376525.8 | 申请日: | 2019-05-07 |
公开(公告)号: | CN110455876A | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 张兆宏;李致纬;许晋嘉;梁俊智;何志铭;蔡瑜津;李玮恩;蓝哲维 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
主分类号: | G01N27/20 | 分类号: | G01N27/20 |
代理公司: | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 吴志红;臧建明<国际申请>=<国际公布> |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;TW |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电层 盖体 透光层 电阻 壳体 半导体装置 自检测功能 检测电路 划痕 检测 破损 半导体装置技术 激光发射器 微透镜阵列 电阻变化 破损检测 逐渐增大 阻值变化 检测盖 开口处 基板 连通 体内 | ||
本发明提供了一种具有自检测功能的半导体装置,属于半导体装置技术领域,其包括设置在基板上的壳体、设置在壳体内的激光发射器以及设置在壳体上的盖体;盖体设置在壳体的开口处,包括微透镜阵列及透光层;透光层设置有至少一层导电层,且透光层出现划痕时,导电层的电阻值增大;导电层与检测电路连通,检测电路中设置有用于检测导电层的电阻阻值变化的检测单元。本发明提供的具有自检测功能的半导体装置,当盖体出现划痕及破损失时,导电层的电阻逐渐增大,根据此特性通过检测导电层的电阻变化以检测盖体是否出现破损,可提升盖体破损检测的准确性。
技术领域
本发明涉及半导体装置技术领域,尤其涉及一种具有自检测功能的半导体装置。
背景技术
雷射激光器的半导体装置常用于人脸识别装置中,由于其发光强度受温度影响较大,为保持雷射激光器的发光强度,需将雷射激光器设置在封装结构中。
现有的封装结构包括壳体及设置在壳体出口处的微透镜阵列,雷射激光器设置在壳体内,其发射光可透过微透镜阵列,从微透镜阵列穿出的发射光强度需符合人眼安全规定;当微透镜阵列出现破损时,从破损处穿出的发射光的强度会导致人眼损伤,因此需对微透镜进行破损检测;目前常采用在在壳体内设置有感光晶片,当微透镜阵列出现破损时,经过微透镜阵列反射至感光晶片的数量会减少,相应的感光晶片上的电流降低,因而可判断微透镜阵列出现破损。
然而,现有的感光晶片容易达到饱和状态而失效,影响对微透镜阵列的破损检测的准确性。
发明内容
本发明实施例提供了一种具有自检测功能的半导体装置,其盖体上设置有导电层,当盖体出现划痕及破损失时,导电层的电阻逐渐增大,根据盖体的上述特性,通过检测导电层的电阻变化以检测盖体是否出现破损,可提升盖体破损检测的准确性。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
本发明实施例提供了一种具有自检测功能的半导体装置,包括设置在基板上的壳体、设置在所述壳体内的激光发射器以及设置在壳体上的盖体;所述盖体设置在所述壳体的开口处,包括微透镜阵列及透光层;以及所述透光层设置有至少一层导电层,且所述透光层出现划痕时,所述导电层的电阻值增大;所述导电层与检测电路连通,所述检测电路中设置有用于检测所述导电层的电阻阻值变化的检测单元。
进一步的,所述检测电路还包括定值电阻、第一导电体及第二导电体;所述检测单元与所述导电层并联,所述定值电阻、所述第一导电体及所述第二导电体与所述导电层串联;所述第一导电体的一端与供电模块的第一电极电性连接,另一端与所述导电层的一端电性连接;以及所述第二导电体的一端与供电模块的第二电极电性连接,另一端与所述导电层的另一端电性连接。
进一步的,所述第一导电体和第二导电体均设置在所述壳体的外表面。
进一步的,所述第一导电体和第二导电体均设置在所述壳体的内表面。
进一步的,所述壳体为双层结构,其包括第一隔离层及第二隔离层;以及所述第一导电体、第二导电体均设置在所述第一隔离层及所述第二隔离层之间。
进一步的,所述第一导电体及所述第二导电体均呈柱状结构或者层状结构。
进一步的,所述检测单元布置在所述壳体外。
进一步的,所述检测单元布置在所述基板上,且所述检测单元位于壳体内。
进一步的,所述第一导电体及所述第二导电体的两端设置有具有导电性能的粘接部。
进一步的,所述透光层的两侧分别设置有一层导电层。
与现有技术相比,本发明提供的具有自检测功能的半导体装置具有以下优点;
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