[发明专利]具有自检测功能的半导体装置在审
申请号: | 201910376525.8 | 申请日: | 2019-05-07 |
公开(公告)号: | CN110455876A | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 张兆宏;李致纬;许晋嘉;梁俊智;何志铭;蔡瑜津;李玮恩;蓝哲维 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
主分类号: | G01N27/20 | 分类号: | G01N27/20 |
代理公司: | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 吴志红;臧建明<国际申请>=<国际公布> |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;TW |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电层 盖体 透光层 电阻 壳体 半导体装置 自检测功能 检测电路 划痕 检测 破损 半导体装置技术 激光发射器 微透镜阵列 电阻变化 破损检测 逐渐增大 阻值变化 检测盖 开口处 基板 连通 体内 | ||
1.一种具有自检测功能的半导体装置,其特征在于,包括设置在基板上的壳体、设置在所述壳体内的激光发射器以及设置在壳体上的盖体;
所述盖体设置在所述壳体的开口处,包括微透镜阵列及透光层;以及
所述透光层设置有至少一层导电层,且所述透光层出现划痕时,所述导电层的电阻值增大;所述导电层与检测电路连通,所述检测电路中设置有用于检测所述导电层的电阻阻值变化的检测单元。
2.根据权利要求1所述的具有自检测功能的半导体装置,其特征在于,所述检测电路还包括定值电阻、第一导电体及第二导电体;
所述检测单元与所述导电层并联,所述定值电阻、所述第一导电体及所述第二导电体与所述导电层串联;
所述第一导电体的一端与供电模块的第一电极电性连接,另一端与所述导电层的一端电性连接;以及
所述第二导电体的一端与供电模块的第二电极电性连接,另一端与所述导电层的另一端电性连接。
3.根据权利要求2所述的具有自检测功能的半导体装置,其特征在于,所述第一导电体和第二导电体均设置在所述壳体的外表面。
4.根据权利要求2所述的具有自检测功能的半导体装置,其特征在于,所述第一导电体和第二导电体均设置在所述壳体的内表面。
5.根据权利要求2所述的具有自检测功能的半导体装置,其特征在于,所述壳体为双层结构,其包括第一隔离层及第二隔离层;以及
所述第一导电体、第二导电体均设置在所述第一隔离层及所述第二隔离层之间。
6.根据权利要求2至5任一项所述的具有自检测功能的半导体装置,其特征在于,所述第一导电体及所述第二导电体均呈柱状结构或者层状结构。
7.根据权利要求6所述的具有自检测功能的半导体装置,其特征在于,所述检测单元布置在所述壳体外。
8.根据权利要求6所述的具有自检测功能的半导体装置,其特征在于,所述检测单元布置在所述基板上,且所述检测单元位于壳体内。
9.根据权利要求6所述的具有自检测功能的半导体装置,其特征在于,所述第一导电体及所述第二导电体的两端设置有具有导电性能的粘接部。
10.根据权利要求1所述的具有自检测功能的半导体装置,其特征在于,所述透光层的两侧分别设置有一层导电层。
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