[发明专利]掩模条材料属性的获取方法、装置和掩模板的制作方法有效
申请号: | 201910372790.9 | 申请日: | 2019-05-06 |
公开(公告)号: | CN110257767B | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 邓江涛;杨晓宇;嵇凤丽;徐鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G06F30/00 | 分类号: | G06F30/00;G06F17/10;G06F17/16;C23C14/04;C23C14/24 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩模条 材料 属性 获取 方法 装置 模板 制作方法 | ||
本发明的实施例提供一种掩模条材料属性的获取方法、装置和掩模板的制作方法,涉及显示技术领域,可以快速而简便的获取掩模条的材料属性。一种掩模条材料属性的获取方法,包括:根据掩模条模型,制作一模拟图形,模拟图形与掩模条模型上的重复单元的形状、尺寸均相同;其中,重复单元包括至少一个蒸镀孔;根据模拟图形,构建等效图形,等效图形的形状为长方体;长方体的长、宽和高与模拟图形的长、宽和高分别相等;设定多组测试参数,每组测试参数均包括模拟图形的所有表面的位移约束值;根据每组测试参数,提取模拟图形表面上的反力;根据模拟图形表面上的反力以及对应的等效图形表面的面积,计算得到模拟图形的材料属性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种掩模条材料属性的获取方法、装置和掩模板的制作方法。
背景技术
制备高质量有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示装置的一种核心技术是通过蒸镀方式将有机材料按照预定程序蒸镀到玻璃基板上,利用精细掩模板(Fine Metal Mask,FMM)上的图案形成红绿蓝器件。
精细掩模板的结构复杂,成本高昂,实现其精确设计可以保证产品良率。其中,精细掩模板包括掩模板框架和多个掩模条。
发明内容
本发明的实施例提供一种掩模条材料属性的获取方法、装置和掩模板的制作方法,可以快速而简便的获取掩模条的材料属性。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,本发明的实施例提供了一种掩模条材料属性的获取方法,包括:根据掩模条模型,制作一模拟图形,所述模拟图形与所述掩模条模型上的重复单元的形状、尺寸均相同;其中,所述重复单元包括至少一个蒸镀孔;根据所述模拟图形,构建等效图形,所述等效图形的形状为长方体;所述长方体的长、宽和高与所述模拟图形的长、宽和高分别相等;设定多组测试参数,每组所述测试参数均包括所述模拟图形的所有表面的位移约束值;根据每组所述测试参数,提取所述模拟图形表面上的反力;根据所述模拟图形表面上的反力以及对应的所述等效图形表面的面积,计算得到所述模拟图形的材料属性;所述材料属性包括杨氏模量、泊松比和剪切模量。
可选地,多组所述测试参数包括第一组所述测试参数、第二组所述测试参数、第三组所述测试参数、第四组所述测试参数、第五组所述测试参数和第六组所述测试参数;第一组所述测试参数中,所述模拟图形的右侧表面的法向位移约束值为第一预设值,其余五个表面的法向位移约束值为零;所述第一方向为所述右侧表面的法向,所述第一预设值为正应变与所述模拟图形沿第一方向的长度的乘积;第二组所述测试参数中,所述模拟图形的上表面的法向位移约束值为第二预设值,其余五个表面的法向位移约束值为零;所述第二方向为所述上表面的法向,所述第二预设值为所述正应变与所述模拟图形沿第二方向的长度的乘积;第三组所述测试参数中,所述模拟图形的前侧表面的法向位移约束值为第三预设值,其余五个表面的法向位移约束值为零;所述第三方向为所述前侧表面的法向,所述第三预设值为所述正应变与所述模拟图形沿第三方向的长度的乘积,所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向相互垂直;第四组所述测试参数中,所述右侧表面在所述第二方向上的位移约束值为所述第二预设值,所述上表面在所述第一方向上的位移约束值为所述第一预设值,左侧表面在所述第二方向上的位移约束值为0,下表面在所述第一方向上的位移约束值为0,所述前侧表面和后侧表面的法向位移约束值为0;第五组所述测试参数中,所述前侧表面在所述第一方向上的位移约束值为所述第一预设值,所述右侧表面在所述第三方向上的位移约束值为所述第三预设值,所述后侧表面在所述第一方向上的位移约束值为0,所述左侧表面在所述第三方向上的位移约束值为0,所述上表面和所述下表面的法向位移约束值为0;第六组所述测试参数中,所述上表面在所述第三方向上的位移约束值为所述第三预设值,所述前侧表面在所述第二方向上的位移约束值为所述第二预设值,所述下表面在所述第三方向上的位移约束值为0,所述后侧表面在所述第二方向上的位移约束值为0,所述左侧表面和所述右侧表面的法向位移为0。
可选地,所述正应变在0.01%~0.02%范围内取值。
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