[发明专利]阵列基板与显示装置

说明书

本申请涉及一种阵列基板和显示装置，该阵列基板包括相互垂直的扫描线和第二金属层公共电极以及位于同一扫描线同侧并分别位于同一第二金属层公共电极两侧的第一像素电极和第二像素电极，第一像素电极具有第一斜边，第二像素电极具有第二斜边，第一斜边和第二斜边相对设置，定义第一斜边的延长线、第二斜边的延长线和相邻扫描线正投影所围成的区域为目标区域，在目标区域内形成连接导体，连接导体通过过孔连接处于绝缘层两侧的第二金属层公共电极和第一金属层公共电极，且连接导体与第一斜边、第二斜边和相邻扫描线的正投影相互平行。在本申请中，先通过像素电极和扫描线限定出设置连接导体的目标区域，然后设计连接导体的形态，使得目标区域尽可能小，从而增大像素的开口率。

技术领域

本申请涉及显示领域，特别是涉及一种阵列基板与显示装置。

背景技术

在显示装置的阵列基板中，各像素电极与第一金属层公共电极形成存储电容，为了使第一金属层公共电极信号均匀，通常设置第二金属层公共电极与各第一金属层公共电极连接以使第一金属层公共电极相互连通。在阵列基板的结构中，第一金属层公共电极和第二金属层公共电极处于不同层次，因此需要通过过孔使两者连接，在具体工艺实现过程中，在依次形成第一金属层公共电极、绝缘层、第二金属层公共电极和钝化层并在钝化层形成贯穿钝化层和绝缘层的过孔后，最后在钝化层上形成像素电极和连接导体，连接导体填充过孔，使第二金属层公共电极和第一金属层公共电极连接。由于连接导体与像素电极处于同一层，且连接导体在钝化层上需占据一定的面积，导致像素电极的分布和面积受限，因此，连接导体的存在会影响显示装置的像素开口率。

发明内容

基于此，有必要针对在显示装置中，形成连接第一金属层公共电极和第二金属层公共电极的连接导体会影响像素开口率的技术问题，提出一种新的阵列基板和显示装置。

一种阵列基板，包括：

扫描线；

第二金属层公共电极，与所述扫描线垂直设置；

像素结构单元，包括位于同一所述扫描线同侧的第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极分别位于同一所述第二金属层公共电极的两侧，所述第一像素电极具有相互垂直的两侧边以及连接所述两侧边的第一斜边，所述第二像素电极具有相互垂直的两侧边以及所述两侧边的第二斜边，所述第一斜边与所述第二斜边相对，定义所述第一斜边的延长线、所述第二斜边的延长线和相邻所述扫描线所围成的区域为目标区域；

第一金属层公共电极，正对所述像素电极设置，所述第一金属层公共电极与所述第二金属层公共电极之间设置有绝缘层；以及

连接导体，与所述像素电极处于同一层，所述连接导体设置于所述目标区域内并通过一过孔连接所述第一金属层公共电极与所述第二金属层公共电极，所述连接导体的正投影区域为一多边形，所述连接导体与所述第一斜边相对的侧边与所述第一斜边平行，与所述第二斜边相对的侧边与所述第二斜边平行，与相邻所述扫描线的正投影相对的侧边与所述扫描线的正投影平行。

在其中一个实施例中，所述第一像素电极和所述第二像素电极相互对称设置。

在其中一个实施例中，所述连接导体与所述第一斜边的间距范围为5μm～8μm，所述连接导体与所述第二斜边的间距范围为5μm～8μm。

在其中一个实施例中，所述连接导体与相邻所述扫描线在所述像素电极所处层的正投影之间的间距范围为3μm～5μm。

在其中一个实施例中，所述过孔的开口形状与所述连接导体的正投影区域

的形状相同，所述过孔的开口侧壁与所述连接导体侧边的间距相等。

在其中一个实施例中，所述过孔的开口侧壁与所述连接导体侧边的间距范围为5μm～6μm。