[发明专利]用于处理基板的装置和方法

说明书

本发明涉及通过旋转涂覆在基板上形成膜的装置和方法。装置包括：具有在其中处理第一基板的第一空间的第一工艺腔室；具有在其中处理第二基板的第二空间的第二工艺腔室；液体分配单元，其设置在第一和第二工艺腔室中，并分配处理液以分别在第一和第二基板上形成液态膜；气流供应单元，其设置在第一和第二工艺腔室中，并分别在第一和第二空间中形成下向气流；和控制器，其控制液体分配单元和气流供应单元。各液体分配单元包括分配预处理液的预处理喷嘴、和将涂覆溶液分配到第一和第二基板中相应的一个上的涂覆溶液喷嘴。控制器控制液体分配单元以分配预处理液和随后的涂覆溶液到第一和第二基板上，并根据分配的预处理液的量调节下向气流的供应状态。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年05月03日提交韩国专利局的申请号为10-2018-0051083的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本文描述的本发明构思的实施方式涉及一种用于在基板上形成液态膜的装置和方法，尤其地，涉及一种通过旋转涂覆(旋涂，spin coating)在基板上形成膜的装置和方法。

背景技术

执行例如清洁、沉积、光刻、蚀刻、离子注入等的各种工艺以制造半导体设备。在这些工艺中，光刻工艺包括在基板上形成例如光刻胶膜(photoresist film)的液态膜的工艺。

在液态膜形成工艺中，通过将涂覆溶液涂覆到基板上形成液态膜。在将预处理液分配到基板上之后分配涂覆溶液。在涂覆溶液之前将用于改善涂覆溶液与基板表面的粘附的预处理液分配到基板上。在执行液态膜形成工艺时，涂覆溶液可能挥发以污染周围设备，该涂覆溶液为挥发性材料。由此，在执行液态膜形成工艺的空间中形成向下流动的气体。

然而，下向气流影响液态膜的厚度。由此，在设置液态膜形成装置后，下向气流具有恒定的供应状态，且考虑到液态膜形成装置和周围腔室之间的压力差而变化。

因此，液态膜的厚度根据基板在其中处理的空间而改变，并且难以改变下向气流的供应状态以对应于液态膜形成工艺。

发明内容

本发明构思的实施方式提供了一种用于均匀调节基板上形成的液态膜的厚度的装置和方法。

本发明构思的实施方式提供了一种用于改变下向气流的供应状态以对应于液态膜形成工艺的装置和方法。

本发明构思的实施方式提供了一种用于在多个基板上形成相同厚度的不同类型的液态膜的装置和方法。

根据一示例性实施方式，一种用于在基板上形成液态膜的装置包括：第一工艺腔室，其具有第一空间，在所述第一空间中处理第一基板；第二工艺腔室，其具有第二空间，在所述第二空间中处理第一基板；液体分配单元，其设置在所述第一工艺腔室和所述第二工艺腔室中，并分配处理液以分别在所述第一基板和第二基板上形成液态膜；气流供应单元，其设置在所述第一工艺腔室和第二工艺腔室中，并分别在所述第一空间和第二空间中形成下向气流；以及控制器，其控制所述液体分配单元和所述气流供应单元。每个液体分配单元包括预处理喷嘴，其分配预处理液，和涂覆溶液喷嘴，其将涂覆溶液分配到所述第一基板和第二基板中相应的一个上。所述控制器控制所述液体分配单元分配预处理液和随后的所述涂覆溶液至所述第一基板和第二基板上，并根据分配的预处理液的量调节下向气流的供应状态。

可将第一量的预处理液分配到所述第一基板上，并在所述第一空间中可形成具有第一速率的下向气流。可将第二量的预处理液分配到所述第二基板上，并在所述第二空间中可形成具有第二速率的下向气流。所述第一量可大于所述第二量，且所述第一速率可低于第二速率。

所述预处理液可包括溶剂，且分配到所述第一基板的涂覆溶液和分配到所述第二基板上的涂覆溶液可以为不同类型的液体。