[发明专利]一种铝掺杂氧化钨基的双选择性气敏传感器的制备方法有效

专利信息
申请号: 201910367558.6 申请日: 2019-05-05
公开(公告)号: CN109991286B 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: 潘国峰;崔军蕊;何平;回广泽;王如;华中 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 代理人: 赵凤英
地址: 300130 天津市红桥区*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 掺杂 氧化钨 选择 性气 传感器 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种铝掺杂氧化钨基的双选择性气敏传感器的制备方法,其特征为该方法包括如下步骤:

(1)清洗:用无水乙醇对Al2O3陶瓷管进行擦洗;

(2)靶材和衬底的安装:将磁控溅射所用的W靶材以及掺杂用的Al靶材分别安装在射频磁控阴极靶和直流磁控阴极靶上,将清洗好的Al2O3陶瓷管安装在靶材正上方的衬底托上;

(3)溅射前将系统抽真空直到系统的本底真空气压达到6×10-4-5×10-5Pa;

(4)抽完真空后,旋转挡板遮挡Al2O3陶瓷管,通入氩气,使射频磁控阴极W靶和直流磁控阴极Al靶在氩气中同时预溅射10min;

(5)在反应溅射过程中,设定反应气体为高纯度的氧气、工作气体为高纯度的氩气;

(6)溅射:通入混合气,旋开挡板,将W靶溅射功率调至95-110W,溅射WO3薄膜,20min后,关闭氧气;将Al靶溅射功率调至40-42W,溅射Al薄膜6-10min;再恢复通氧,溅射WO3薄膜20min;溅射过程中,真空室内的气体压强保持为1.8-2.0Pa;当为混合气体时,体积比为Ar:O2=3:1-5:1;

(7)薄膜热处理:溅射完成后,在真空腔体内将样品进行原位真空退火:在400-600℃下热处理1.5-3h,在Al2O3陶瓷管表面形成所需的Al-WO3薄膜,即形成气敏元件;

(8)将气敏元件的金属丝焊接到六角底座上,形成铝掺杂的氧化钨基的气敏传感器;

所述的Al-WO3薄膜为WO3-Al-WO3的三明治结构薄膜,其中,WO3的厚度为190~210nm,Al的厚度为80~120nm,WO3的厚度为190~210nm。

2.如权利要求1所述方法制备的铝掺杂氧化钨基的双选择性气敏传感器的应用,其特征为用于检测甲醇或乙醇蒸气的存在;其中,当工作温度为18-25℃时,对100-1000ppm的乙醇蒸气进行检测;或者,在工作温度34-60℃时,对100-1000ppm的甲醇蒸气检测。

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