[发明专利]一种铝掺杂氧化钨基的双选择性气敏传感器的制备方法有效
申请号: | 201910367558.6 | 申请日: | 2019-05-05 |
公开(公告)号: | CN109991286B | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 潘国峰;崔军蕊;何平;回广泽;王如;华中 | 申请(专利权)人: | 河北工业大学 |
主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12 |
代理公司: | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人: | 赵凤英 |
地址: | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺杂 氧化钨 选择 性气 传感器 制备 方法 | ||
1.一种铝掺杂氧化钨基的双选择性气敏传感器的制备方法,其特征为该方法包括如下步骤:
(1)清洗:用无水乙醇对Al2O3陶瓷管进行擦洗;
(2)靶材和衬底的安装:将磁控溅射所用的W靶材以及掺杂用的Al靶材分别安装在射频磁控阴极靶和直流磁控阴极靶上,将清洗好的Al2O3陶瓷管安装在靶材正上方的衬底托上;
(3)溅射前将系统抽真空直到系统的本底真空气压达到6×10-4-5×10-5Pa;
(4)抽完真空后,旋转挡板遮挡Al2O3陶瓷管,通入氩气,使射频磁控阴极W靶和直流磁控阴极Al靶在氩气中同时预溅射10min;
(5)在反应溅射过程中,设定反应气体为高纯度的氧气、工作气体为高纯度的氩气;
(6)溅射:通入混合气,旋开挡板,将W靶溅射功率调至95-110W,溅射WO3薄膜,20min后,关闭氧气;将Al靶溅射功率调至40-42W,溅射Al薄膜6-10min;再恢复通氧,溅射WO3薄膜20min;溅射过程中,真空室内的气体压强保持为1.8-2.0Pa;当为混合气体时,体积比为Ar:O2=3:1-5:1;
(7)薄膜热处理:溅射完成后,在真空腔体内将样品进行原位真空退火:在400-600℃下热处理1.5-3h,在Al2O3陶瓷管表面形成所需的Al-WO3薄膜,即形成气敏元件;
(8)将气敏元件的金属丝焊接到六角底座上,形成铝掺杂的氧化钨基的气敏传感器;
所述的Al-WO3薄膜为WO3-Al-WO3的三明治结构薄膜,其中,WO3的厚度为190~210nm,Al的厚度为80~120nm,WO3的厚度为190~210nm。
2.如权利要求1所述方法制备的铝掺杂氧化钨基的双选择性气敏传感器的应用,其特征为用于检测甲醇或乙醇蒸气的存在;其中,当工作温度为18-25℃时,对100-1000ppm的乙醇蒸气进行检测;或者,在工作温度34-60℃时,对100-1000ppm的甲醇蒸气检测。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北工业大学,未经河北工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910367558.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。