[发明专利]一种应用于逐次逼近模数转换器的失配误差校正方法有效
| 申请号： | 201910367262.4 | 申请日： | 2019-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN110113050B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 樊华;雷鹏;冯全源;蔡经纬;李大刚;胡达千;岑远军 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03M1/10 | 分类号： | H03M1/10;H03M1/46 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 陈一鑫 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 逐次 逼近 转换器 失配 误差 校正 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于逐次逼近模数转换器的失配误差校正方法，该方法包括：
步骤1：对于SAR ADC全差分结构，正端电容DAC阵列和负端电容DAC阵列为镜像互补关系；所述正端电容DAC阵列和负端电容DAC阵列由n=2m 个单位电容组成，n、m为正整数；
步骤2：将n个单位电容按照从小到大进行排序，并编号为1、2、3……n；
步骤3：将排完序之后的单位电容阵列按顺序分为第一到第四共四个组，每一组有n/4个单位电容，选取第一组和第四组中编号为奇数的单位电容和第二组和第三组中编号为偶数的单位电容一起作为电容DAC阵列的MSB电容；
步骤4：在步骤3每一组剩下的单位电容中从第一个开始间隔选取出一半的单位电容，将四组选出的单位电容组合为电容DAC阵列的MSB-1电容；
步骤5：再按照步骤4的方法依次选出DAC阵列的后续电容，直到每组的单位电容只剩余两个，将每组中第一个单位电容选出组合成为MSB-(m-3) 电容，再将第一组和第三组的最后一个单位电容组合为MSB-(m-2) 电容，将第二组和第四组最后一个单位电容分别作为MSB-(m-1) 电容以及LSB；
步骤6：根据步骤1-步骤5的方法将单位电容重新组合得到的电容作为SAR ADC的电容DAC阵列；采用新得到的SAR ADC的电容DAC阵列，作为逐次逼近模数转换器的电容阵列进行模数转换。
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