[发明专利]一种高性能陷波电路在审
| 申请号： | 201910358416.3 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN110133691A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 夏斯青;程剑涛;杜黎明;乔允庆;孙洪军 | 申请（专利权）人： | 上海艾为电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G01S19/37 | 分类号： | G01S19/37;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 古利兰;王宝筠 |
| 地址： | 201199 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 谐振 级联 串联电容 陷波电路 抑制干扰 并联 串联 | ||
【权利要求书】：
1.一种高性能陷波电路，其特征在于，包括：多个串联电容和N个谐振级联，N为大于1的整数；其中：
每个谐振级联之间相互并联；
每两个谐振级联之间串联一串联电容；
第一谐振级联的一端与第一负载的一端和一个串联电容的一端相连，第N个谐振级联的一端与第二负载的一端和一个串联电容的一端相连。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述每个谐振级联包括：电感和电容；其中：
所述电感的一端与所述串联电容的一端相连，所述电感的另一端与所述电容的一端相连；
所述电容的另一端接地。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述串联电容的大小为2.7pF。
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述电感的大小为10nH。
5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述电容的大小为3.9pF。
6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述第一负载的大小为50Ohm。
7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述第二负载的大小为50Ohm。
8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述N为2。
9.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述N为3。
10.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述N为4。
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