[发明专利]一种控制编程性能的方法和装置

说明书

本发明提供了一种控制编程性能的方法和装置。所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：温度传感器、时钟频率发生器、编程操作状态机以及编程存储单元，所述编程操作状态机包括：计数器，所述方法包括：所述编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，根据编程操作指令和待编程数据执行编程验证和编程加压操作，接收温度传感器发送的NOR flash存储器的工作温度，根据工作温度调整所述时间，根据调整后的时间完成编程加压操作。本发明在执行编程加压操作时，编程操作状态机根据NOR flash存储器的工作温度，调整单次编程加压操作的时间，完成编程加压操作，控制编程验证操作和编程加压操作的循环周期，提高NOR flash存储器的编程性能。

技术领域

本发明涉及存储领域，尤其涉及一种控制编程性能的方法和装置。

背景技术

目前NOR flash存储器采用沟道载流子热电子注入的方式实现编程操作，研究结果表明温度升高时，热电子活跃度升高，产生的编程的有效电流将会减小，完成编程所需要的时间就会越长。

参照图1，示出了现有NOR flash存储器编程原理示意图，编程操作是通过热电子注入方式利用高电场加速得到的热电子注入浮栅层，从而改变浮栅层的阈值达到编程的效应，为了形成导电沟道，需要给漏端(D)加一个正压，为了使电子到达浮栅层，需要给栅端(G)加一个正压，源端(S)和衬底接地，研究表明，编程加压的时间增加，电子达到浮栅的数量越理想，编程的成功率越大。

目前编程操作过程中，编程操作状态机中控制编程加压时间的计数器的最大值及时钟频率发生器(CLK发生器)的频率，在出厂时是确定好的，然而，随着温度升高，热电子活跃度增高，编程有效电流减小，单次编程加压操作的时间固定，则完成编程操作所执行的编程验证操作和编程加压操作的循环周期也会增大，完成整个编程所需要的时间就会越长，甚至最终无法完成编程任务。

发明内容

本发明提供的一种控制编程性能的方法以及装置，解决了温度升高，编程有效电流减小，单次编程加压操作的时间固定，完成整个编程操作所需要时间就会越长，甚至最终无法完成编程任务的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种控制编程性能的方法，所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：温度传感器、编程操作状态机、时钟频率发生器以及编程存储单元，所述编程操作状态机包括：计数器，所述温度传感器与所述编程操作状态机连接，所述编程操作状态机分别与所述时钟频率发生器和所述编程存储单元连接，所述方法包括：

所述编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，所述待编程数据为所需写入所述编程存储单元的数据；

所述编程操作状态机根据所述编程操作指令和待编程数据，执行编程加压操作，所述编程加压操作为对所述编程存储单元持续施加预设电压值的操作，所述持续施加预设电压值的时间为所述计数器的最大值与所述时钟频率发生器周期的乘积；

其中，所述编程操作状态机执行编程加压操作，包括：

所述编程操作状态机接收所述温度传感器发送的所述NOR flash存储器的工作温度；

所述编程操作状态机根据所述工作温度，调整所述时间；

所述编程操作状态机根据调整后的时间，完成所述编程加压操作。

可选地，所述编程操作状态机根据所述工作温度，调整所述时间，包括：

所述编程操作状态机调用所述NOR flash存储器的工作温度区间与所述计数器的最大值的关系表，其中，工作温度越高的工作温度区间对应的计数器的最大值越大；

所述编程操作状态机根据所述工作温度与所述关系表，调整所述计数器的最大值，调整所述计数器的最大值，即调整所述时间。