[发明专利]一种具有负介电性能的碳纳米管-石墨-聚偏氟乙烯三元复合材料及其制备方法有效
申请号: | 201910350028.0 | 申请日: | 2019-04-28 |
公开(公告)号: | CN110066484B | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 范润华;秦锦媛;解培涛;李晓峰;孙凯;安燕;信家豪 | 申请(专利权)人: | 上海海事大学 |
主分类号: | C08L27/16 | 分类号: | C08L27/16;C08K3/04 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 贾慧琴;刘琰 |
地址: | 201306 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 负介电 性能 纳米 石墨 聚偏氟 乙烯 三元 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有负介电性能的碳纳米管-石墨-聚偏氟乙烯三元复合材料,其特征在于,所述三元复合材料由碳纳米管、石墨及聚偏氟乙烯均匀复合形成;碳纳米管和石墨的质量总和占所述三元复合材料的质量百分数为16%~20%,余量为聚偏氟乙烯;其中,碳纳米管和石墨的质量比为(1:1)~(1:10)。
2.根据权利要求1所述的具有负介电性能的碳纳米管-石墨-聚偏氟乙烯三元复合材料,其特征在于,所述三元复合材料中,碳纳米管和石墨的质量总和占所述三元复合材料的质量百分数为16%,余量为聚偏氟乙烯;其中,碳纳米管和石墨的质量比为(1:1)~(1:3)。
3.根据权利要求1所述的具有负介电性能的碳纳米管-石墨-聚偏氟乙烯三元复合材料,其特征在于,所述碳纳米管的直径为12-30nm,长度为0~6μm。
4.权利要求1所述的具有负介电性能的碳纳米管-石墨-聚偏氟乙烯三元复合材料的制备方法,其特征在于,该方法包含以下步骤:
步骤(1),分别称量碳纳米管粉体、石墨粉体和聚偏氟乙烯粉体,使得碳纳米管粉体和石墨粉体的质量总和占所述三元复合材料的质量百分数为16%~20%,余量为聚偏氟乙烯;碳纳米管粉体和石墨粉体的质量比为(1:1)~(1:10);
步骤(2),将称量好的碳纳米管粉体、石墨粉体和聚偏氟乙烯粉体倒入研磨罐中进行无序随机混合研磨后,再将粉体盛入研钵中,进行人为剪切混合,直至粉末的所有团聚小颗粒分散均匀;
步骤(3),将混匀后的粉体放入模具中,进行冷压成型,获得所述的碳纳米管-石墨-聚偏氟乙烯三元复合材料。
5.根据权利要求4所述的具有负介电性能的碳纳米管-石墨-聚偏氟乙烯三元复合材料的制备方法,其特征在于,步骤(1),碳纳米管粉体和石墨粉体的质量总和占所述三元复合材料的质量百分数为16%,余量为聚偏氟乙烯;碳纳米管粉体和石墨粉体的质量比为(1:1)~(1:3)。
6.根据权利要求4所述的具有负介电性能的碳纳米管-石墨-聚偏氟乙烯三元复合材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述粉体在研磨罐中机械离心混合,时间为15~25min,转速为1000~2000r。
7.根据权利要求4所述的具有负介电性能的碳纳米管-石墨-聚偏氟乙烯三元复合材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,碳纳米管粉体、石墨粉体和聚偏氟乙烯粉体倒入研磨罐中的顺序为:先加入碳纳米管粉体和石墨粉体,再加入聚偏氟乙烯粉体。
8.根据权利要求4所述的具有负介电性能的碳纳米管-石墨-聚偏氟乙烯三元复合材料的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,将混匀后的粉体过200目以上筛网筛分后,再放入模具中,进行冷压成型。
9.根据权利要求4所述的具有负介电性能的碳纳米管-石墨-聚偏氟乙烯三元复合材料的制备方法,其特征在于,所述的冷压成型的条件为:成型压力为20~30MPa,保压时间为15~20min。
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