[发明专利]原子振荡器以及频率信号生成系统在审

专利信息
申请号: 201910342780.0 申请日: 2019-04-26
公开(公告)号: CN110417410A 公开(公告)日: 2019-11-05
发明(设计)人: 珎道幸治;林畅仁;矢岛英明 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H03L7/26 分类号: H03L7/26
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李庆泽;邓毅
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 原子振荡器 导热率 碱金属原子 收纳 发光元件 频率信号 生成系统 受光元件 射出光 射出 配置
【权利要求书】:

1.一种原子振荡器,其包含:

发光元件,其射出光;

原子室;以及

受光元件,其接收通过了所述原子室的光;

所述原子室具有:

第1室,其收纳气态的碱金属原子,从所述发光元件射出的光通过该第1室,该第1室具有第1壁;

第2室,其收纳液态的碱金属原子,具有第2壁;

通道,其将所述第1室与所述第2室连接;以及

配置在所述第1室与所述第2室之间的部分,该部分的导热率低于构成所述第1壁的材料的导热率和构成所述第2壁的材料的导热率。

2.根据权利要求1所述的原子振荡器,其中,

所述部分为缝隙构造或中空构造。

3.根据权利要求1所述的原子振荡器,其中,

所述部分具有:

壁;以及

低导热率部件,其配置于所述壁,该低导热率部件的导热率低于构成所述第1壁的材料的导热率和构成所述第2壁的材料的导热率。

4.根据权利要求1或3所述的原子振荡器,其特征在于,

在所述第1壁的外表面配置有高导热率部件,该高导热率部件的导热率高于构成所述第1壁的材料的导热率。

5.根据权利要求4所述的原子振荡器,其中,

所述部分为缝隙构造或中空构造,

所述高导热率部件配置于所述部分的所述第1室侧的壁。

6.根据权利要求4所述的原子振荡器,其中,

所述第1壁具有窗,从所述发光元件射出的光通过所述窗,

所述高导热率部件配置于所述窗的外表面,

在所述高导热率部件上设置有贯通孔,从所述发光元件射出的光通过该贯通孔。

7.根据权利要求1~3中的任意一项所述的原子振荡器,其特征在于,

所述部分是缝隙构造,

所述部分的壁具有:

第1部分,其将所述第1室与所述第2室连接;

第2部分,其在所述第1部分的一侧构成所述缝隙构造;以及

第3部分,其在所述第1部分的另一侧构成所述缝隙构造。

8.根据权利要求7所述的原子振荡器,其中,

所述第2壁具有:

第4部分;

第5部分,其温度低于所述第4部分的温度;以及

第6部分,其构成所述第4部分与所述第5部分之间的缝隙构造。

9.一种频率信号生成系统,其包含原子振荡器,

所述原子振荡器包含:

发光元件,其射出光;

原子室;以及

受光元件,其接收通过了所述原子室的光;

所述原子室具有:

第1室,其收纳气态的碱金属原子,从所述发光元件射出的光通过该第1室,该第1室具有第1壁;

第2室,其收纳液态的碱金属原子,具有第2壁;

通道,其将所述第1室与所述第2室连接;以及

配置在所述第1室与所述第2室之间的部分,该部分的导热率低于构成所述第1壁的材料的导热率和构成所述第2壁的材料的导热率。

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