[发明专利]深红光热活化延迟荧光材料及其制备方法和电致发光器件在审
申请号: | 201910330136.1 | 申请日: | 2019-04-23 |
公开(公告)号: | CN110015968A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 王彦杰 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | C07C225/24 | 分类号: | C07C225/24;C07C221/00;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光热 活化 电致发光器件 延迟荧光材料 给体 制备 结构通式 荧光 延迟 | ||
本发明提供了一种深红光热活化延迟荧光材料及其制备方法和电致发光器件,所述深红光热活化延迟荧光(TADF)材料,包括由受体A及给体D所组成的化合物,所述化合物具有如式1所示的结构通式:D‑A式1其中所述受体A是择自下列结构式中任一者:以及所述给体D是择自下列结构式中任一者:
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种深红光热活化延迟荧光(thermallyactivated delayed fluorescence,TADF)材料及其制备方法和电致发光器件。
背景技术
有机电致发光二极管(organic light-emitting diodes,OLED)显示装置以其主动发光不需要背光源、发光效率高、可视角度大、响应速度快、温度适应范围大、生产加工工艺相对简单、驱动电压低,能耗小,更轻更薄,柔性显示等优点以及巨大的应用前景,吸引了众多研究者的关注。
现有的OLED显示装置通常包括:基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的有机发光层,设于有机发光层上的电子传输层、及设于电子传输层上的阴极。工作时向有机发光层发射来自阳极的空穴和来自阴极的电子,将这些电子和空穴组合产生激发性电子-空穴对,并将激发性电子-空穴对从受激态转换为基态实现发光。
在OLED中,起主导作用的发光客体材料至关重要。早期的OLED使用的发光客体材料为荧光材料,由于在OLED中单重态和三重态的激子比例为1:3,因此基于荧光材料的OLED的理论内量子效率(internal quantum efficiency,IQE)只能达到25%,极大的限制了荧光电致发光器件的应用。重金属配合物磷光材料由于重原子的自旋轨道耦合作用,使得它能够同时利用单重态和三重态激子而实现100%的IQE。然而,通常使用的重金属都是Ir、Pt等贵重金属,成本很高,并且重金属配合物磷光发光材料在蓝光材料方面尚有待突破。
纯有机热活化延迟荧光(thermally activated delayed fluorescence,TADF)材料,通过巧妙的分子设计,使得分子具有较小的最低单三重能级差(ΔEST),这样三重态激子可以通过反向系间窜越(RISC)回到单重态,再通过辐射跃迁至基态而发光,从而能够同时利用单、三重态激子,也可以实现100%的IQE。
对于TADF材料,快速的反向系间窜越常数(reverse intersystem-crossing,kRISC)以及高的光致发光量子产率(photoluminescence quantum yield,PLQY)是制备高效率OLED的必要条件。目前,绿光和天蓝光TADF材料已经获得超过30%的外量子效率(EQE);但是红光及深红光TADF材料由于能隙规则(Energy gap law),无法获得优异的器件性能。
据此,亟需开发一种深红光热活化延迟荧光(TADF)材料,其中的分子具有高的系间窜越速率常数和反系间窜越速率常数,并且提高给受体的最高占据分子轨域(highestoccupied molecular orbital,HOMO)和最低未占分子轨域(lowest unoccupiedmolecular orbital,LUMO)的重叠程度,从而提高TADF分子的器件效率。
发明内容
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