[发明专利]深红光热活化延迟荧光材料及其制备方法和电致发光器件在审

专利信息
申请号: 201910330136.1 申请日: 2019-04-23
公开(公告)号: CN110015968A 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: 王彦杰 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: C07C225/24 分类号: C07C225/24;C07C221/00;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 光热 活化 电致发光器件 延迟荧光材料 给体 制备 结构通式 荧光 延迟
【权利要求书】:

1.一种深红光热活化延迟荧光材料,包括由受体A及给体D所组成的化合物,所述化合物具有如式1所示的结构通式:

D-A 式1

其中所述受体A是择自下列结构式中任一者:

以及

所述给体D是择自下列结构式中任一者:

2.一种深红光热活化延迟荧光材料的制备方法,包括如下步骤:

步骤S10、在含碱的溶液中加入化合物A-X及化合物D-B(OH)2,其中所述X为卤素,所述A为具有下列结构式中任一者:

所述D为具有下列结构式中任一者:

步骤S20、在惰性气体下,向所述含碱的溶液加入钯催化剂,在第一温度下反应第一时长以得到反应液;

步骤S30、将所述反应液冷却至第二温度,得到混合物;以及

步骤S40、自所述混合物分离出所述深红光热活化延迟荧光材料,包括由受体A及给体D所组成的化合物,所述化合物具有如式1所示的结构通式:

D-A 式1。

3.如权利要求2所述的深红光热活化延迟荧光材料的制备方法,其中,所述第一温度为55℃至65℃,所述第一时长为12小时至36小时。

4.如权利要求2所述的深红光热活化延迟荧光材料的制备方法,其中,所述第二温度为室温。

5.如权利要求2所述的深红光热活化延迟荧光材料的制备方法,其中,所述步骤S10中,所述含碱的溶液为甲苯、所述碱为碳酸钾、以及所述钯催化剂为四三苯基磷钯。

6.如权利要求2所述的深红光热活化延迟荧光材料的制备方法,其中,所述步骤S30更包括将所述反应液经过萃取、水洗、脱水、过滤、以及离心干燥处理以得到所述混合物。

7.如权利要求2所述的深红光热活化延迟荧光材料的制备方法,其中,所述步骤S40系使用管柱层析进行分离,所述管柱层析所采用的淋洗液为体积比1:1的石油醚:二氯甲烷。

8.如权利要求2所述的深红光热活化延迟荧光材料的制备方法,其中所述化合物A-X为2-溴代并四苯二酮或2-溴代并五苯-5,7,12,14-四酮,所述化合物D-B(OH)2为4-(二苯基氨基)-苯硼酸。

9.一种电致发光器件,包括:

基底层;

空穴注入层,位于所述基底层上;

空穴传输层,位于所述空穴注入层上;

发光层,位于所述空穴传输层上;

电子传输层,位于所述发光层上;以及

阴极层,位于所述电子传输层上,

其中所述发光层包括如权利要求1所述的深红光热活化延迟荧光材料。

10.如权利要求9所述的电致发光器件,其中

所述基底层的材料包括ITO;

所述空穴注入层的材料包括2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲;

所述空穴传输层的材料包括4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺];

所述电子传输层的材料包括1,3,5-三(3-(3-吡啶基)苯基)苯;以及

所述阴极层的材料包括氟化锂及铝。

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