[发明专利]一种降低链式制绒化学品耗量的方法

说明书

本发明公开了一种降低链式制绒化学品耗量的方法，所述方法包括：在金刚线多晶硅片的链式制绒过程中，控制所述金刚线多晶硅片的一侧表面与腐蚀液液面相距30～120um且不接触，金刚线多晶硅片的另一侧表面接触腐蚀液。采用本发明的方法可以大幅降低化学品耗量，降低成本，还可以解决现有技术两面绒面具有高反射率导致电池性能差的问题。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种降低链式制绒化学品耗量的方法。

背景技术

多晶硅片主要有砂浆线切割和金刚线切割两种工艺，砂浆成本高于金刚线，已逐渐淘汰，主流的为金刚线多晶硅片(即使用金刚线切割得到多晶硅片)，其具有缺陷少和成本低的优点。金刚线多晶硅片经过链式制绒机，在硅片上下两面都形成绒面结构，用D8测试两边的反射率，基本一样，我们可以认为硅片两面消耗的化学品是一样的，两面化学品耗量一样大，这在一定程度上提高了生产成。而且，金刚线多晶硅片经过链式制绒反射率较高，很难制备高效的电池。

以P型原始硅片为例，经过一系列工序，制备具有PN结的太阳能电池。我们知道太阳能电池片中接触太阳光的N表面具有低反射率的绒面结构，另一面P表面为抛光状态，即反射率很高。这样，金刚线多晶硅硅片经过链式制绒机，在两边均有绒面结构且反射率还较高是行不通的。

针对上述问题，湿法黑硅技术应用而生，通过在酸制绒后增加一道工序，解决了金刚线切割多晶硅片导致的反射率过高的问题。如CN106024988A公开了一种一步法湿法黑硅制备以及表面处理方法，包括：将去除表面损伤层后的硅片浸入腐蚀液中反应制得黑硅；将黑硅浸入表面处理腐蚀液中进行表面优化处理，即得亚微米结构的均匀绒面的硅片；其中，所述腐蚀液为含金属离子的浓氢氟酸、氧化剂和高分子聚合物的混合水溶液，所述表面处理腐蚀液为含添加剂的混合酸水溶液。经过该处理，黑硅绒面表面均匀且无尖锐边界，提高了对电池对光的吸收效率。

但是，干法黑硅技术需要新增设备和工序，操作繁琐，成本更高；湿法黑硅(MCCE)技术使用化学试剂，存在含有重金属以及成本较高等问题。

因此，亟需开发一种合适的方法，一方面降低化学品耗量、降低成本，另一方面使硅片的两面分别形成低反射率的绒面结构和高反射率的抛光面，在降低成本的同时提升太阳能电池的性能。

发明内容

本发明的目的在于提出一种降低链式制绒化学品耗量的方法。采用本发明的方法可以大幅降低化学品耗量，降低成本，还可以解决现有技术两面绒面具有高反射率导致电池性能差的问题。

为达上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种降低链式制绒化学品耗量的方法，所述方法包括：在金刚线多晶硅片的链式制绒过程中，控制所述金刚线多晶硅片的一侧表面与腐蚀液液面相距n且不接触，n大于30um，金刚线多晶硅片的另一侧表面接触腐蚀液，且距离腐蚀液液面m，m大于40um。

所述金刚线多晶硅片的一侧表面与腐蚀液液面相距n大于30um，例如35um、40um、50um、60um、70um、80um、90um、100um、110um、120um或140um等，优选n为30～120um。所述金刚线多晶硅片的另一侧表面接触腐蚀液且距离腐蚀液液面m大于40um，例如45um、50um、60um、70um、80um、90um、100um、110um、120um、130um、140um、145um或160um等，优选m为40～150。

本发明所述方法中，链式制绒机的滚轮传送金刚线多晶硅片运动，金刚线多晶硅片的下表面在腐蚀液液面以下，金刚线多晶硅片的上表面在腐蚀液液面以上。

优选地，金刚线多晶硅片的厚度为120～200um，例如120um、135um、150um、160um、170um、180um、190um或200um等，优选为160～180um。