[发明专利]存储装置和存储装置的操作方法

说明书

公开一种存储装置和存储装置的操作方法。所述存储装置包括非易失性存储器装置和从非易失性存储器装置读取第一数据的控制器。当第一数据的第一错误的数量不小于第一阈值时，控制器确定第一错误是否包括从非易失性存储器装置与控制器之间的信号传输时序的变化产生的时序错误，并且当第一错误包括时序错误时，对信号传输时序执行再训练操作。

本申请要求于2018年5月21日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0057726号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用完整地包含于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体存储器。更具体地讲，本公开涉及一种存储装置及存储装置的操作方法。

背景技术

存储装置指的是在主机装置(诸如，计算机、智能电话或平板)的控制下存储数据的装置。存储装置存储数据，并且可以是磁盘(诸如，硬盘驱动器(HDD))或非易失性存储器(半导体存储器的一种形式)(诸如，固态硬盘(SSD)或存储器卡)。

非易失性存储器装置可以是或者可以包括：只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(PRAM)或铁电RAM(FRAM)等。

随着制造半导体电路的技术的发展，存储装置的操作速度已经提高。具体地讲，非易失性存储器装置与用于控制非易失性存储器装置的控制器之间的数据通信速度已经急剧地增加。数据通信速度的急剧增加导致不期望的错误，从而降低了存储装置的可靠性。

发明内容

本公开的实施例提供一种具有提高的可靠性的存储装置以及存储装置的操作方法。

根据示例性实施例，一种存储装置包括非易失性存储器装置和从非易失性存储器装置读取第一数据的控制器。当第一数据的第一错误的数量不小于第一阈值时，控制器确定第一错误是否包括从非易失性存储器装置与控制器之间的信号传输时序的变化产生的时序错误，并且当第一错误包括时序错误时，对信号传输时序执行再训练操作。

根据另一示例性实施例，一种存储装置包括：多个第一非易失性存储器装置、多个第二非易失性存储器装置以及通过第一通道与所述多个第一非易失性存储器装置通信并通过第二通道与所述多个第二非易失性存储器装置通信的控制器。当从所述多个第一非易失性存储器装置中的特定非易失性存储器装置读取的数据的错误的数量不小于阈值时，控制器确定所述错误是否包括从所述特定非易失性存储器装置与控制器之间的信号传输时序的变化产生的时序错误，并且当所述错误包括时序错误时，将所述多个第一非易失性存储器装置确定为再训练操作的目标。

根据另一示例性实施例，一种存储装置包括非易失性存储器装置和控制器。一种存储装置的操作方法包括：控制器从非易失性存储器装置读取数据，当第一测试数据的第一错误的数量不小于第一阈值时，将第一测试数据发送到非易失性存储器装置，接收第二测试数据，并且当第二测试数据的第二错误的数量不小于第二阈值时，对非易失性存储器装置执行再训练操作。

附图说明

通过参照附图对本公开的示例性实施例进行的详细描述，本公开的以上和其他对象和特征将变得清楚。

图1是示出根据本公开的实施例的存储装置的框图。

图2是示出根据本公开的实施例的存储装置的操作方法的流程图。

图3和图4是示出根据本公开的实施例的存储器管理器确定是否需要再训练操作的测试操作的示例的示图。

图5是示出根据本公开的教导的应用的存储装置的操作方法的流程图。

图6是示出根据本公开的实施例的再训练操作的信息被应用到下一次再训练操作的示例的流程图。