[发明专利]存储装置和存储装置的操作方法在审
| 申请号: | 201910328763.1 | 申请日: | 2019-04-23 |
| 公开(公告)号: | CN110517714A | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
| 发明(设计)人: | 李哲承;黄淳石;李忠义 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G11C7/22 | 分类号: | G11C7/22;G11C7/10 |
| 代理公司: | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王兆赓;刘灿强<国际申请>=<国际公布> |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 非易失性存储器装置 时序 存储装置 控制器 第一数据 信号传输 读取 时序执行 训练操作 阈值时 | ||
1.一种存储装置,包括:
非易失性存储器装置;以及
控制器,被配置为:从所述非易失性存储器装置读取第一数据,
其中,所述控制器还被配置为:当所述第一数据的第一错误的数量不小于第一阈值时,确定所述第一错误是否包括从所述非易失性存储器装置与所述控制器之间的信号传输时序的变化产生的时序错误,并且当所述第一错误包括所述时序错误时,对所述信号传输时序执行再训练操作。
2.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述控制器包括被配置为纠正所述第一错误的纠错块,
其中,所述第一阈值等于或小于所述纠错块纠正的错误的最大数量。
3.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述控制器被配置为:
将第一模式数据发送到所述非易失性存储器装置;
从所述非易失性存储器装置接收第二模式数据;以及
根据所述第二模式数据的第二错误,确定所述第一错误是否包括所述时序错误。
4.根据权利要求3所述的存储装置,其中,所述非易失性存储器装置包括:
存储器单元阵列,包括存储器单元;以及
缓冲器,连接到所述存储器单元阵列,
其中,所述控制器控制所述非易失性存储器装置,使得所述第一模式数据不被写入到所述存储器单元阵列而是仅被存储到所述缓冲器。
5.根据权利要求4所述的存储装置,其中,所述控制器通过将写入命令和所述第一模式数据发送到所述非易失性存储器装置并且不发送确认命令,来控制所述非易失性存储器装置,使得所述第一模式数据仅被存储到所述缓冲器。
6.根据权利要求3所述的存储装置,其中,所述控制器控制所述非易失性存储器装置,使得所述非易失性存储器装置根据所述信号传输时序的读取信号传输时序来将所述第一模式数据输出为所述第二模式数据。
7.根据权利要求3所述的存储装置,其中,当所述第二错误的数量不小于第二阈值时,所述控制器确定所述第一错误包括所述时序错误。
8.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述控制器还被配置为:当所述第一错误不可纠正时,在执行所述再训练操作之后从所述非易失性存储器装置再次读取所述第一数据作为第二数据。
9.根据权利要求8所述的存储装置,其中,所述控制器还被配置为:当所述第二数据的第二错误的数量不小于第二阈值时,对所述第二数据执行刷新操作。
10.根据权利要求8所述的存储装置,其中,所述控制器还被配置为:当所述第二数据的第二错误不可纠正时,执行在调节读取电压的同时重复读取操作的读取重试操作。
11.根据权利要求8所述的存储装置,其中,所述控制器还被配置为:在执行所述再训练操作之后,存储所述再训练操作被执行时的第一时间信息,
其中,所述控制器还被配置为:当在从所述非易失性存储器装置读取所述第二数据时所述第二数据的第二错误的数量不小于所述第一阈值时,将所述第一时间信息与所述第二数据被读取时的第二时间信息进行比较,并且当所述第一时间信息与所述第二时间信息之间的差小于阈值时间时,确定所述第二错误不包括所述时序错误。
12.根据权利要求8所述的存储装置,其中,所述控制器还被配置为:在执行所述再训练操作之后,存储所述再训练操作被执行时的第一温度信息,
其中,所述控制器还被配置为:当在从所述非易失性存储器装置读取所述第二数据时所述第二数据的第二错误的数量不小于所述第一阈值时,将所述第一温度信息与所述第二数据被读取时的第二温度信息进行比较,并且当所述第一温度信息与所述第二温度信息之间的差小于阈值温度时,确定所述第二错误不包括所述时序错误。
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