[发明专利]二次安全保护元件的制造方法、芯片及设备

说明书

本发明涉及安全保护元件技术领域，公开了一种二次安全保护元件的制造方法、芯片及设备。所述二次安全保护元件的制造方法，包括：通过对高分子聚合物进行密炼、造粒和压合以形成高分子正温度系数热敏电阻芯料；将上下电极膜压合在形成的高分子正温度系数热敏电阻芯料上下表面上；以及通过蚀刻在上下电极膜上形成蚀刻区域。本发明通过形成不同面积的蚀刻区域方便快捷地调整二次安全保护元件的目标电阻，提高了二次安全保护元件的生产效率、电阻精度和产品良率。

技术领域

本发明涉及安全保护元件技术领域，尤其涉及一种二次安全保护元件的制造方法、芯片及设备。

背景技术

针对小功率电阻设备及集成电路的短路及过载保护需求，近年来开始出现二次安全保护元件比如高分子正温度系数热敏电阻器件(Polymeric Positive TemperatureCoefficient，PPTC)的流保护元件。

二次安全保护元件的电阻值和电阻分布是主要的电气参数。现有二次安全保护元件主要是通过调整产品芯料成分配比、尺寸和厚度来控制产品的电阻与分布，生产工艺复杂且精度较低，同时经过密炼、挤出、覆膜等高温处理会对高分子聚合物的分布和分布形态产生影响，而导致电阻精度和产品良率波动。

发明内容

鉴于此，本发明提供一种二次安全保护元件的制造方法、芯片及设备，解决现有通过调整芯料成分配比、成型尺寸和厚度的方式操作繁琐且精度较低且传统高温挤出覆膜工艺会影响高分子聚合物的分布和分布形态而导致产品良率波动的技术问题。

根据本发明的实施例，提供一种二次安全保护元件的制造方法，包括：通过对高分子聚合物进行密炼、造粒和压合以形成高分子正温度系数热敏电阻芯料；将上下电极膜压合在形成的高分子正温度系数热敏电阻芯料上下表面上；以及通过蚀刻在上下电极膜上形成蚀刻区域。

优选的，所述通过蚀刻在上下电极膜上形成蚀刻区域，包括：根据形成的高分子正温度系数热敏电阻芯料的电阻、面积和目标电阻计算蚀刻区域的蚀刻面积；以及根据计算的蚀刻面积在上下电极膜上形成蚀刻区域。

优选的，所述通过蚀刻在上下电极膜上形成蚀刻区域，还包括：设置蚀刻区域的蚀刻位置；根据计算的蚀刻面积和设置的蚀刻位置在上下电极膜上形成蚀刻区域。

优选的，所述的二次安全保护元件的制造方法，还包括：在所述高分子正温度系数热敏电阻芯料两端面中间位置形成导通孔两端面中间位置形成导通孔。

优选的，所述蚀刻位置远离高分子正温度系数热敏电阻芯料的两端面的导通孔。

优选的，所述蚀刻位置在所述上下电极膜的中间。

优选的，所述蚀刻区域使上下电极膜电气断开。

优选的，所述蚀刻区域为长方形或圆弧形。

根据本发明实施例，还提供一种二次安全保护元件，包括上下电极膜和高分子正温度系数热敏电阻芯料，所述上下电极膜包括蚀刻区域，所述上下电极膜压合在所述高分子正温度系数热敏电阻芯料的上下表面。

根据本发明实施例，还提供一种高分子正温度系数热敏电阻设备，包括上述的二次安全保护元件。

本发明提供的二次安全保护元件的制造方法、芯片及设备，包括：通过对高分子聚合物进行密炼、造粒和压合以形成高分子正温度系数热敏电阻芯料；将上下电极膜压合在形成的高分子正温度系数热敏电阻芯料上下表面上；以及通过蚀刻在上下电极膜上形成蚀刻区域。本发明通过形成不同面积的蚀刻区域方便快捷地调整二次安全保护元件的目标电阻，而传统的通过调整芯料成分配比、成型尺寸和厚度的方式操作繁琐且精度较低，同时传统高温挤出覆膜工艺会影响高分子聚合物的分布和分布形态而导致产品良率较低，本发明的二次安全保护元件的电阻调整更加方便快捷和精确，提高了二次安全保护元件的生产效率、电阻精度和产品良率。

附图说明