[发明专利]有机金属化合物及包含所述有机金属化合物的有机发光装置在审
申请号: | 201910316212.3 | 申请日: | 2019-04-19 |
公开(公告)号: | CN110391351A | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 姜宣宇;高秀秉;金兑炅;全翔镐;曺煐美 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;C07F15/00;C09K11/06 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;洪欣 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机金属化合物 能级 三重态金属 有机发光装置 电荷转移态 金属原子 六齿配体 键合 配体 | ||
1.有机发光装置,包括:
第一电极;
第二电极,其面向所述第一电极;以及
有机层,其位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层,
其中所述有机层包含有机金属化合物,以及
所述有机金属化合物包含与金属原子M1键合的六齿配体,并且所述有机金属化合物的三重态金属中心态3MC的能级E3MC高于所述有机金属化合物的三重态金属至配体电荷转移态3MLCT的能级E3MLCT。
2.如权利要求1所述的有机发光装置,其中
所述有机金属化合物满足E3≥5kcal/mol,并且
E3在等式1中定义:
<等式1>
E3=||E3MLCT|-|E3MC||。
3.如权利要求1所述的有机发光装置,其中
所述发射层包含所述有机金属化合物。
4.如权利要求3所述的有机发光装置,其中
所述发射层发射具有440nm至490nm的最大发射波长的蓝色磷光。
5.如权利要求1所述的有机发光装置,其中
所述有机金属化合物由式1表示:
<式1>
其中,在式1、式2A和式2B中,
M1选自铂、钯、铜、银、金、铑、铱、钌、锇、钛、锆、铪、铕、铽和铥,
A1至A6各自独立地选自C5-C60碳环基团和C1-C60杂环基团,
L1至L6各自独立地选自单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(R1)(R2)-*'、*-C(R1)=*'、*=C(R1)-*'、*-C(R1)=C(R2)-*'、*-C(=O)-*'、*-C(=S)-*'、*-C≡C-*'、*-B(R1)-*'、*-N(R1)-*'、*-P(R1)-*'、*-Si(R1)(R2)-*'、*-P(R1)(R2)-*'和*-Ge(R1)(R2)-*',
a1、a3和a5各自独立地选自1、2和3,
a2、a4和a6各自独立地选自0、1、2和3,
当a2为0时,A2和A3不连接,
当a4为0时,A4和A5不连接,
当a6为0时,A6和A1不连接,
Y1至Y6各自独立地为N或C,
T1至T6各自独立地选自单键、*-O-*'和*-S-*',
A1、A3和A5经由由式2A或式2B表示的剪辑连接体连接,
X1与式2A或式2B中的X10连接,
X2与式2A或式2B中的X20连接,
X3与式2A或式2B中的X30连接,
Y10、Y20、Y30和Y40各自独立地为N或C(R3),
L10、L20和L30各自独立地选自单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(R4)(R5)-*'、*-C(R4)=*'、*=C(R4)-*'、*-C(R4)=C(R5)-*'、*-C(=O)-*'、*-C(=S)-*'、*-C≡C-*'、*-B(R4)-*'、*-N(R4)-*'、*-P(R4)-*'、*-Si(R4)(R5)-*'、*-P(R4)(R5)-*'和*-Ge(R4)(R5)-*',
a10、a20和a30各自独立地选自0、1、2、3、4和5,
R1至R5、R10、R20、R30、R40、R50和R60各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、取代或未取代的C1-C60烷基基团、取代或未取代的C2-C60烯基基团、取代或未取代的C2-C60炔基基团、取代或未取代的C1-C60烷氧基基团、取代或未取代的C3-C10环烷基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10环烯基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C6-C60芳氧基基团、取代或未取代的C6-C60芳硫基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳氧基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳硫基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-N(Q1)(Q2)、-P(Q1)(Q2)、-C(=O)(Q1)、-S(=O)(Q1)、-S(=O)2(Q1)、-P(=O)(Q1)(Q2)和-P(=S)(Q1)(Q2),
R1和R10;R1和R20;R1和R30;R1和R40;R1和R50;或者R1和R60任选地连接以形成取代或未取代的C5-C60碳环基团或者取代或未取代的C1-C60杂环基团,
b10、b20、b30、b40、b50和b60各自独立地选自1、2、3、4、5、6、7和8,
*和*'各自表示与相邻原子的连接位点,
所述取代的C5-C60碳环基团、所述取代的C1-C60杂环基团、所述取代的C1-C60烷基基团、所述取代的C2-C60烯基基团、所述取代的C2-C60炔基基团、所述取代的C1-C60烷氧基基团、所述取代的C3-C10环烷基基团、所述取代的C1-C10杂环烷基基团、所述取代的C3-C10环烯基基团、所述取代的C1-C10杂环烯基基团、所述取代的C6-C60芳基基团、所述取代的C6-C60芳氧基基团、所述取代的C6-C60芳硫基基团、所述取代的C1-C60杂芳基基团、所述取代的单价非芳香族稠合多环基团和所述取代的单价非芳香族稠合杂多环基团中的至少一个取代基选自:
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团和C1-C60烷氧基基团;
各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C1-C60杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团、单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(=O)(Q11)、-S(=O)2(Q11)和-P(=O)(Q11)(Q12)中的至少一个取代的C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团和C1-C60烷氧基基团;
C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C1-C60杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团;
各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C1-C60杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团、单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(=O)(Q21)、-S(=O)2(Q21)和-P(=O)(Q21)(Q22)中的至少一个取代的C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C1-C60杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团;以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(=O)(Q31)、-S(=O)2(Q31)和-P(=O)(Q31)(Q32),以及
Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自独立地选自氢,氘,-F,-Cl,-Br,-I,羟基基团,氰基基团,硝基基团,脒基基团,肼基基团,腙基基团,C1-C60烷基基团,C2-C60烯基基团,C2-C60炔基基团,C1-C60烷氧基基团,C3-C10环烷基基团,C1-C10杂环烷基基团,C3-C10环烯基基团,C1-C10杂环烯基基团,C6-C60芳基基团,C6-C60芳氧基基团,C6-C60芳硫基基团,C1-C60杂芳基基团,C1-C60杂芳氧基基团,C1-C60杂芳硫基基团,单价非芳香族稠合多环基团,单价非芳香族稠合杂多环基团,被选自氘、-F和氰基基团中的至少一个取代的C1-C60烷基基团,被选自氘、-F和氰基基团中的至少一个取代的C6-C60芳基基团,联苯基基团和三联苯基基团。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择