[发明专利]具有提高的响应速度的功率放大器装置及偏置电路

权利要求书

1.一种功率放大器装置，包括：

偏置电路，包括第一晶体管，所述第一晶体管包括被配置为接收内部电压和启动电压的基极，并且所述偏置电路被配置为在稳定驱动时间点之前的启动时间期间产生基于所述内部电压和所述启动电压的启动电流，并且在所述稳定驱动时间点之后产生基于所述内部电压的偏置电流；以及

启动电路，被配置为在所述启动时间期间向所述偏置电路供应所述启动电压，

其中，所述启动电路包括：

开关晶体管，连接在第一电压端子与所述第一晶体管的基极连接节点之间，并且被配置为在启动时间期间响应于具有导通电平的控制电压而操作；以及

偏置电阻器，连接在所述开关晶体管的集电极与所述第一电压端子之间，或者连接在所述开关晶体管的发射极与所述第一晶体管的所述基极连接节点之间。

2.根据权利要求1所述的功率放大器装置，其中，所述启动电流大于所述偏置电流。

3.根据权利要求2所述的功率放大器装置，其中，所述偏置电路还包括：

第一电阻器，连接在所述第一晶体管的集电极与所述第一电压端子之间；以及

第二电阻器，连接在所述第一晶体管的发射极与所述功率放大器装置的功率放大器电路的偏置连接节点之间。

4.根据权利要求3所述的功率放大器装置，其中，所述启动电路被配置为基于在所述第一电压端子处供应的第一电压将所述启动电压供应给所述偏置电路。

5.根据权利要求3所述的功率放大器装置，其中，所述偏置电阻器具有高于所述第一电阻器的电阻值的电阻值。

6.根据权利要求3所述的功率放大器装置，其中，

所述偏置电路还包括被配置为输出所述内部电压的电压源电路，

所述电压源电路包括第三电阻器以及第一二极管接法的晶体管和第二二极管接法的晶体管，所述第三电阻器具有连接到参考电压端子的第一端，所述第一二极管接法的晶体管和所述第二二极管接法的晶体管串联连接在所述第三电阻器的第二端与地之间，并且

所述第一二极管接法的晶体管包括连接到所述第一晶体管的所述基极的基极和集电极，以向所述第一晶体管的所述基极供应所述内部电压。

7.一种功率放大器装置，包括：

偏置电路，包括第一晶体管，所述第一晶体管包括被配置为接收内部电压和启动电压的基极，并且所述偏置电路被配置为在稳定驱动时间点之前的启动时间期间产生启动电流，并且在所述稳定驱动时间点之后产生偏置电流；

启动电路，被配置为在所述启动时间期间向所述偏置电路供应所述启动电压；以及

功率放大器电路，被配置为基于所述启动电流而启动并且基于所述偏置电流来放大输入信号，

其中，所述启动电路包括：

开关晶体管，连接在第一电压端子与所述第一晶体管的基极连接节点之间，并且被配置为在所述启动时间期间响应于具有导通电平的控制电压而操作；以及

偏置电阻器，连接在所述开关晶体管的集电极与所述第一电压端子之间，或者连接在所述开关晶体管的发射极与所述第一晶体管的所述基极连接节点之间。

8.根据权利要求7所述的功率放大器装置，其中，所述启动电流大于所述偏置电流。

9.根据权利要求8所述的功率放大器装置，其中，所述偏置电路还包括：

第一电阻器，连接在所述第一晶体管的集电极与所述第一电压端子之间；以及

第二电阻器，连接在所述第一晶体管的发射极与所述功率放大器电路的偏置连接节点之间。

10.根据权利要求9所述的功率放大器装置，其中，所述启动电路被配置为基于在所述第一电压端子处供应的第一电压将所述启动电压供应给所述偏置电路。

11.根据权利要求9所述的功率放大器装置，其中，所述偏置电阻器具有高于所述第一电阻器的电阻值的电阻值。