[发明专利]一种蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法

说明书

本发明所提供的蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法，通过采用对蓝宝石样品的切割、研磨、抛光磨料组合，能提高蓝宝石基材电子组件的金相切片样品的表面磨抛效率，按不同目数类型的顺序组合进行磨抛工序设计，可制备得到良好金相切片样品表面质量且达到高效磨抛材料选择及相关工序的设计，可有效节省蓝宝石基材电子组件金相切片样品制备中磨抛材料的损耗，并可同时提升金相样品观察效果。

【技术领域】

本发明属于金相切片分析技术领域，具体涉及一种蓝宝石基材电子组件的金相切片样品的制备方法。

【背景技术】

蓝宝石单晶主要成分是三氧化二铝，硬度仅次于金刚石，其莫氏硬度可达到9级。蓝宝石单晶具有耐划伤、耐冲击、熔点高、透明性好，电绝缘性优良、化学性能稳定等特点，被广泛用于工业、国防、科研等领域。常规金相切片分析时，采用普通磨料的磨抛材料，磨料一般为碳化硅，可用于玻璃材质的电子元器件金相切片分析。但是蓝宝石由于硬度大且脆性高，在金相切片做截面分析时，切割、研磨、抛光等机械加工难度大。

尤其是因磨料硬度匹配差异，磨抛材料的耗损过大且最终金相切片样品无法达到最佳的观察效果，因此寻找适合蓝宝石基材的磨抛材料及相关工序的设计显得尤为重要。

【发明内容】

为克服现有蓝宝石基材电子组件金相切片样品制备中磨抛材料的损耗较大的技术问题，本发明提供一种蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法。

本发明为解决上述技术问题，提供技术方案如下：一种蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法，其包括以下步骤：将待处理蓝宝石样品进行切割获得待研磨样品，选择目数类型由粗至细的磨盘对切割后的待研磨样品进行研磨，以使获得初研磨蓝宝石样品；及利用目数类型为小于2μm的抛光液于初研磨蓝宝石样品之上进行研磨，以进行抛光处理，获取所需金相切片样品。

优选地，所述利用由粗至细的目数类型的磨盘对切割后的样品进行初研磨具体包括以下步骤：粗研磨：依次利用由粗至细的目数类型为70μm-9μm的磨盘与待研磨样品进行研磨工序，以去除不平整处；及细研磨：依次利用由粗至细目数类型为9μm-3μm磨盘与待研磨样品进行研磨工序，进行细加工以获得初研磨蓝宝石样品。

优选地，在所述粗研磨、所述细研磨步骤中，所述研磨时间为2min-10min，磨盘转速为100rpm-500rpm。

优选地，所述磨盘是由目数类型为70μm-3μm的金刚石微粉与树脂粘合而形成。

优选地，选用部分中间目数类型的磨盘与待研磨样品进行研磨工序。

优选地，利用目数类型为小于2μm的抛光液于样品之上进行研磨工序，以对样品表面进行抛光处理具体包括：利用由粗至细的目数类型为0.5μm-0.05μm的抛光液于抛光布上与初研磨蓝宝石样品进行研磨工序，在预设时间内初研磨蓝宝石样品往复变换方向研磨，以进行抛光处理。

优选地，在上述研磨工序中，对应的研磨时间为2min-10min，磨抛转速为50rpm-200rpm。

优选地，所述抛光液中包括金刚石微粒，所述抛光液中金刚石微粒粒径90wt％以上微粒分布在由粗至细的目数类型为0.5μm-0.05μm的范围内；或所述抛光液包括目数类型为0.05μm的氧化铝微粒。

优选地，所述金刚石微粒为聚晶金刚石。

优选地，在进行切割之前，还包括将待观测蓝宝石样品镶埋处理：待观测蓝宝石样品置入样品模具中固定时，置入树脂及添加剂的混合物，待其硬化后获得待处理蓝宝石样品。

与现有技术相比，本发明所提供的蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法具有如下的有益效果：