[发明专利]一种电容器及其形成方法

说明书

本发明提供一种电容器的形成方法，包括以下步骤：提供第一金属层，在第一金属层上形成具有间隔的第一极板层图案；在第一极板层图案的侧壁及第一极板层图案远离第一金属层的一侧，沿远离第一极板层图案的方向依次沉积介质层和第二极板层图案；在第一金属层上的第二极板层图案的间隔中形成具有通孔的隔离层；在通孔内沉积第二金属层，第二金属层分别与第二极板层图案和第一金属层接触。采用本发明提供的电容器的形成方法制造出的电容器的重复率和成功率较高，且采用该方法制造出来的电容器，呈现立体三维结构，可有效提升电容器的密度，继而提升电容器的电容值。本发明还提供一种电容器，解决现有技术中电容器呈平板结构，因而电容值较小的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种电容器及其形成方法。

背景技术

电容器，通常简称其容纳电荷的本领为电容。电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于电路中的隔直通交，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制等。最简单的电容器是由两端的极板和中间的绝缘电介质(包括空气)构成的。

电容值是指在给定电位差下的电容器的电荷储藏量，记为C，国际单位是法拉(F)。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。

目前，常用的平板电容器结构，依靠一维平面上的两个极板的相对面积定义了电容器的有效面积，一维平面的面积有限，这极大的限制了电容器的电容值。提高电容密度是有效增大电容器电容值的方法。

如申请号为201480063001.9的专利文献，公开了一种用于制造电容器结构的方法，包括在半导体基板上制造多晶硅结构(PO)。该方法进一步包括在半导体基板上制造M1至扩散(MD)互连。该多晶硅结构被设置在具有MD互连的交织布局中。该方法还包括选择性地连接MD互连的交织式布局和/或多晶硅结构作为电容器结构。

上述专利文献公开的制造电容器结构的方法，通过多个互连的多晶硅结构来可制造电容密度较高的电容器。但采用上述专利文献公开的制造电容器结构的方法，制造出来的电容器的重复率和成功率较低，因而制造成本比较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电容器及其形成方法，解决现有技术中电容器的制造方法生产出的电容器的重复率和成功率都较低、制造成本较高的问题及现有技术中的电容器大都为平板结构，电容器的电容值较小的问题。

本发明提供的电容器的形成方法包括以下步骤：

提供第一金属层，在第一金属层上形成具有间隔的第一极板层图案；

在第一极板层图案的侧壁及第一极板层图案远离第一金属层的一侧，沿远离第一极板层图案的方向依次沉积介质层和第二极板层图案；

在第一金属层上的第二极板层图案的间隔中形成具有通孔的隔离层；

在通孔内沉积第二金属层，第二金属层分别与第二极板层图案和第一金属层接触。

采用上述技术方案，在第一金属层上形成第一极板层图案和第二极板层图案，第一极板层图案和第二极板层图案，在第二极板层远离第一金属层的一侧沉积第二金属层，第一极板层图案和第二极板层图案通过第一金属层和第二金属层连接，使得电容器呈现立体三维结构，可以有效提升电容器的密度，继而提升电容器的电容值。

进一步地，提供第一金属层，在第一金属层上形成具有间隔的第一极板层图案，包括：

提供衬底，在衬底上镀金属材料，形成第一金属层；

在第一金属层上沉积第一极板层；

在第一极板层上形成第一光刻胶图案，刻蚀第一极板层，形成第一极板层图案。