[发明专利]四频双极化天线及无线通信设备在审
申请号: | 201910292138.6 | 申请日: | 2019-04-12 |
公开(公告)号: | CN110011043A | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 孔永丹;邹云涌 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q5/28;H01Q5/307;H01Q13/10 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 李君 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基片集成波导 无线通信设备 耦合缝隙 天线 第二金属层 第一金属层 双极化天线 辐射缝隙 金属地板 馈电通孔 矩形环 十字形 矩形耦合缝隙 辐射方向图 从上到下 路径耦合 能量通过 天线结构 同轴馈电 依次设置 圆形缝隙 可调的 双极化 紧凑 辐射 | ||
本发明公开了一种四频双极化天线及无线通信设备,该天线包括从上到下依次设置的第一金属层、第一基片集成波导、第二金属层、第二基片集成波导以及金属地板,所述第一金属层上设有矩形环辐射缝隙,所述第二金属层的中间设有十字形耦合缝隙,且在十字形耦合缝隙的四侧分别设有矩形耦合缝隙,所述第二基片集成波导的中间设有馈电通孔,所述金属地板在馈电通孔的对应位置上设有圆形缝隙;所述无线通信设备包括上述的天线。本发明天线采用同轴馈电的激励方式,使能量通过不同的耦合缝隙从不同的路径耦合到上方,经由矩形环辐射缝隙辐射,且天线结构紧凑,剖面较低,辐射方向图稳定,能实现简单可调的四频双极化性能。
技术领域
本发明涉及一种天线,尤其是一种四频双极化天线及无线通信设备,属于无线通信天线技术领域。
背景技术
基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide,简称SIW)作为现代无线通信技术的一个重要组成部分,具有低剖面、低损耗的优良特性,且易于与平面器件集成,加工简单廉价,可大规模生产。基于基片集成波导的天线因其功率容量高,往往增益也较高,尤其是到了高频段的时候,SIW低电磁泄漏的特性使其相比传统微带电路拥有更好的优势。
现代无线通信系统随着技术的发展被广泛应用到生活中的各个领域,而实际应用中经常需要多个频段同时工作。如果采用多个天线组合工作产生多频效果,则会增加加工成本与空间损耗,对于通信系统的推广与小型化不利。在这种需求下,能有效解决这一问题的多频天线技术受到更多关注。
Guan Dong Fang等人在IEEE TRANSACTIONS ON ANTENNAS AND PROPAGATIONIEEETRANSACTIONS ON ANTENNAS AND PROPAGATION,VOL.63,NO.12,DECEMBER 2015发表的《Compact SIW Annular Ring Slot Antenna With Multiband MultimodeCharacteristics》中公开了一种基于SIW的三频天线,该天线使用基模及高次模等三个模式实现了三频段可调的效果,但不足之处是使用的模式辐射方向图不一致,且增益不均匀,相差较大。
Mao Chun Xu等人在IEEE ANTENNAS AND WIRELESS PROPAGATION LETTERS,VOL.16,2017发表的《A Novel Multiband Directional Antenna for WirelessCommunications》中公开了一种四频天线,通过多个谐振枝节的级联达到产生四个频点的效果,频点可调,方向图稳定,不过其总体尺寸相比基于SIW的天线要大,不利于天线的小型化。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述现有技术存在的不足之处,提供一种四频双极化天线,该天线采用同轴馈电的激励方式,使能量通过不同的耦合缝隙从不同的路径耦合到上方,经由矩形环辐射缝隙辐射,且天线结构紧凑,剖面较低,辐射方向图稳定,能实现简单可调的四频双极化性能。
本发明的另一目的在于提供一种无线通信设备。
本发明的目的可以通过采取如下技术方案达到:
一种四频双极化天线,包括从上到下依次设置的第一金属层、第一基片集成波导、第二金属层、第二基片集成波导以及金属地板,所述第一金属层上设有矩形环辐射缝隙,所述第二金属层的中间设有十字形耦合缝隙,且在十字形耦合缝隙的四侧分别设有矩形耦合缝隙,所述第二基片集成波导的中间设有馈电通孔,所述金属地板在馈电通孔的对应位置上设有圆形缝隙。
进一步的,所述第一基片集成波导包括第一介质基片,所述第二基片集成波导包括第二介质基片,所述第一介质基片和第二介质基片的四周均设有四排金属化通孔;
所述第一金属层、第二金属层和金属地板的四周均设有与第一介质基片、第二介质基片上的四排金属化通孔对应的四排通孔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910292138.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。