[发明专利]一种电子传输空穴阻挡有机材料及其在薄膜发光二极管应用

权利要求书

1.一种有机半导体化合物，其特征在于，包括具有符合式(1)所示的分子结构：

其中R₁～R₄可独立为H、碳原子数为小于18的烷基、碳原子数小于18的环烷基、碳原子数小于18的烷氧基、碳原子小于60的芳基、碳原子小于60的芳杂基、碳原子小于60的芳杂融合基；

其中，EWG1、EWG2均为N杂环类吸电性基团，两者可以相同也可以不相同，EWG2与咔唑链接位置可以为4位、3位或2位。

2.根据权利要求1所述半导体化合物，其特征在于，所述EWG1、EWG2选自如下结构式之一：

其中，R₁-R₁₁为H、碳原子数为小于18的烷基、碳原子数小于18的环烷基、碳原子数小于18的烷氧基、碳原子小于60的芳基、碳原子小于60的芳杂基、碳原子小于60的芳杂融合基。

3.根据权利要求1、2所述一种有机半导体化合物，其具体结构为：

4.一种半导体薄膜发光二极管，其特征是所述的半导体发光二极管由如下部分组成：

(a)一个阴极，

(b)一个阳极，

(c)一个夹心与阴极和阳极之间的有机半导体发光层，

(d)一个夹心与阴极与发光层之间的有机半导体电子传输、空穴阻挡层，

其特征在于所述的发光二极管中的电子传输、空穴阻挡层或发光层中至少有一层含有本发明所述的有机半导体材料，包括：

5.根据权利要求4所述的半导体发光二极管，其特征是所述的半导体发光二极管是有机半导体发光二极管，其中的发光层由有机电致发光材料组成。

6.根据权利要求4所述的半导体发光二极管，其特征是所述的半导体发光二极管是量子点半导体发光二极管，其中的发光层由量子点电致发光材料组成。