[发明专利]一种硼掺杂天然石墨散热膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910290746.3 申请日: 2019-04-11
公开(公告)号: CN110171823B 公开(公告)日: 2022-09-13
发明(设计)人: 付正伟;宋中坤;唐长林 申请(专利权)人: 华碳(重庆)新材料产业发展有限公司
主分类号: C01B32/21 分类号: C01B32/21;C01B32/225;H05K7/20
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 周建军
地址: 401329 重庆市*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 掺杂 天然 石墨 散热 及其 制备 方法
【说明书】:

发明提供一种硼掺杂天然石墨散热膜及其制备方法,该方法包括:将硼源与含碳有机物、盐类的混合物在非氧化气氛下进行高温碳化,得到含硼样品,取天然石墨原料,将其与所述含硼样品、硫酸混合,氧化插层处理,将所得石墨高温膨胀处理,压延,得到所述天然石墨散热膜。本发明提供一种热导率较高且成本低、工艺简单的天然石墨膜的制造方法,本发明通过采用硼掺杂天然石墨散热膜的制备,能有效提高天然石墨膜的热导率,且成本低,工艺简单,实用价值高。

技术领域

本发明涉及散热膜领域,特别是涉及一种硼掺杂天然石墨散热膜及其制备方法。

背景技术

随着集成电路技术和组装技术的不断发展,各种电子产品不断地走向微型化、轻型化、集成化、多功能化,其性能也不断的得到提升。但其在工作过程中,单位面积上的发热量却越来越高,从而累积大量热量,热量如果不能及时散出则会严重影响设备的寿命和可靠度,因此对散热管理材料提出了更高的要求。

目前常用的导热硅脂、导热胶、金属导热管以及搭载散热器等散热方式,由于其热膨胀系数高、热导率低、密度大以及空间组装和空间限制等问题,越来越难以满足集成电路的散热需求。因此,为了解决产品器件散热和发展需要,迫切需要研制出一种热膨胀系数小、热导率高、密度较低的高导热材料。

石墨材料沿晶面的热导率可达2000W/(m﹒K)以上,加之良好的机械性能、低热膨胀系数、较低密度、耐温和耐腐蚀性,是理想的具有发展前景的导热材料。此外,石墨材料与传统散热材料相比,其资源丰富、分布广阔且价格低廉。因此研究石墨散热材料对于电子元器件散热具有重要的现实意义。

目前市场上的石墨膜分为人工石墨膜和天然石墨膜。人工石墨膜主要是将聚酰亚胺等高分子聚合物膜经碳化、石墨化处理后再经压延而制得,其面内热导率较高,柔韧性较好,但其制备工艺复杂,能耗高,耗时长以及聚合物前驱体成本较高,导致人工石墨膜售价很高,限制了其使用范围。天然石墨膜是以天然石墨作为原料,通过插层剂插层处理,然后经高温或微波等方式制得膨胀石墨,再通过压延制得天然石墨膜,其面内热导率和力学性能不如人工石墨膜,但其制备工艺简单、成本较低、无需高温高压技术,具有广阔的应用市场。

现有石墨膜导热材料由于片层结构不明显、内部孔隙和褶皱等因素,限制了其导热性能的进一步提升。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种硼掺杂天然石墨散热膜及其制备方法,用于解决现有技术中人工石墨膜的成本较高、天然石墨膜热导率较低等问题。

为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种硼掺杂天然石墨散热膜的制备方法,包括:将硼源与含碳有机物、盐类的混合物在非氧化气氛下进行高温碳化,得到含硼样品,取天然石墨原料,将其与所述含硼样品、硫酸混合,氧化插层处理,将所得石墨高温膨胀处理,压延,得到所述硼掺杂天然石墨散热膜。通过含碳有机物、盐类包覆硼源高温碳化,可使硼源热解产生活性硼,掺杂到天然石墨中后可改变石墨内部结构,从而提高天然石墨散热膜的热导率。

可选地,所述硼源选自硼单质、氧化硼、硼酸、硼氢化钠中的至少一种。

可选地,所述含碳类有机物选自葡萄糖酸、乳酸、柠檬酸、纤维素、淀粉中的至少一种。

可选地,所述盐类选自钙、镁、钠、锌、铝、铁、锰、钡的硝酸盐、醋酸盐、硫酸盐、氯化盐、溴化盐中的至少一种。

可选地,所述非氧化气氛选自氮气、氩气、氢气、氨气中的至少一种。

可选地,所述含硼样品中所述硼源与所述含碳有机物、盐类混合物的质量比为(0.1-1):(10-100)。

可选地,制备所述含硼样品时,碳化温度为800-1200℃。

可选地,制备所述含硼样品时,碳化时间为0.5-5h。

可选地,所述天然石墨原料选自鳞片石墨,含碳量≥99%。

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