[发明专利]一种掺杂银的层状氢氧化镍复合电极材料及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种掺杂Ag₂O的层状氢氧化镍复合电极材料的制备方法，所述的掺杂Ag₂O的层状氢氧化镍复合电极材料，以泡沫镍为基底，在所述泡沫镍的表面生长着层状氢氧化镍；所述层状氢氧化镍上掺杂有Ag₂O，其特征在于，包括以下步骤：

1）以脲、氟化铵和去离子水为原料配制成第一步前驱体盐溶液；所述原料还包括镍盐，所述镍盐与所述脲、氟化铵的摩尔比为1:4:1，所述氟化铵与所述去离子水的用量比为0.01-0.05mol：1L；

2）向所述第一步前驱体盐溶液中加入银氨溶液，配制成第二步前驱体盐溶液；所述银氨溶液的摩尔用量是步骤1）中氟化铵的摩尔用量的3/10；

3）将泡沫镍放入所述第二步前驱体盐溶液中，进行水热反应，将产物洗涤干燥，得到掺杂Ag₂O的层状氢氧化镍复合电极材料。

2.根据权利要求1所述的掺杂Ag₂O的层状氢氧化镍复合电极材料的制备方法，其特征在于，所述镍盐为硝酸镍、硫酸镍或氯化镍。

3.根据权利要求1所述的掺杂Ag₂O的层状氢氧化镍复合电极材料的制备方法，其特征在于，所述镍盐与所述去离子水的用量比为0.01-0.05mol：1L。

4.根据权利要求1~3任一项所述的掺杂Ag₂O的层状氢氧化镍复合电极材料的制备方法，其特征在于，步骤2）中所述银氨溶液的pH=7~8，由浓度为0.1~0.2mol/L的硝酸银溶液与氨水配制而成。

5.根据权利要求1~3任一项所述的掺杂Ag₂O的层状氢氧化镍复合电极材料的制备方法，其特征在于，步骤3）中所述泡沫镍纯度为99.8%以上，面密度为300-450g/cm²。

6.根据权利要求1~3任一项所述的掺杂Ag₂O的层状氢氧化镍复合电极材料的制备方法，其特征在于，步骤3）中所述水热反应的温度为160℃，时间为6~8h。