[发明专利]半导体存储器模块和存储器系统在审
申请号: | 201910266363.2 | 申请日: | 2019-04-03 |
公开(公告)号: | CN110349611A | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 庾庸准;崔仁寿;金大正;金成峻;申院济 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/409 | 分类号: | G11C11/409;G11C11/4078 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 史泉;张川绪 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体存储器模块 存储器系统 虚拟地址 处理器 关联 访问目标 数量对应 配置 响应 分配 访问 | ||
提供一种半导体存储器模块和存储器系统。所述存储器系统包括:第一半导体存储器模块和处理器。处理器被配置为以页为单位访问第一半导体存储器模块,还被配置为:通过调整与对应于访问目标的虚拟地址相关联的页的数量并分配第一半导体存储器模块中的与调整的页的数量对应的页,来对与所述虚拟地址相关联的特定页中的页故障的发生进行响应。
本申请要求于2018年4月4日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0039206号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的公开通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及半导体电路,更具体地讲,涉及半导体存储器模块和包括半导体存储器模块的存储器系统。
背景技术
半导体存储器可包括用于存储数据的半导体装置。半导体存储器可包括易失性存储器(例如,动态随机存取存储器装置和静态随机存取存储器装置)和非易失性存储器(例如,闪存装置、相变存储器装置、铁电存储器装置、磁存储器装置和电阻式存储器装置)。一般来说,易失性存储器通常支持高速随机存取,并用作计算系统(诸如,个人计算机、服务器或工作站)的主存储器。相反,非易失性存储器通常支持大存储容量,并用作计算系统的辅助存储装置。
近来,正在对存储级存储器(SCM)进行研究和开发。特别地,存储级存储器正被开发以支持非易失性大存储容量和高速随机存取。通常,提供存储级存储器以具有比传统上用作主存储器的易失性存储器的存储器容量更大的存储器容量。在用作主存储器时,存储级存储器的使用可造成存储器容量的快速增大。因此,必须开发一种允许对大容量主存储器的有效访问的新颖的装置和/或方法。
发明内容
本发明构思的一些实施例提供了一种存储器系统,其中,所述存储器系统被配置为当发生页故障时,更快地在大容量主存储器上执行故障处理。此外,本发明构思的一些实施例提供了一种半导体存储器模块,其中,所述半导体存储器模块被配置为:执行故障处理,并允许跟随将被更快地执行的故障处理的访问。
根据本发明构思的一些实施例,一种存储器系统可包括:第一半导体存储器模块和处理器,其中,处理器被配置为:将第一半导体存储器模块的存储空间划分为多个页,并以页为单位访问第一半导体存储器模块。当在与作为访问目标的虚拟地址相关联的特定页中发生页故障时,处理器可被配置为:调整与所述虚拟地址相关联的页的数量并分配第一半导体存储器模块的与调整的页的数量对应的页,使得分配的页与所述虚拟地址相关联。
根据本发明构思的一些实施例,一种存储器系统可包括:第一半导体存储器模块和处理器,其中,处理器被配置为:将第一半导体存储器模块的存储空间划分为多个页,并以页为单位访问第一半导体存储器模块。当由处理器驱动的应用被分配给M个页时,处理器可被配置为:执行N次故障处理,这里,M是正整数并且N是小于M的正整数。
通过将被执行N次的故障处理中的每个被彼此映射的逻辑地址的数量和虚拟地址的数量可被顺序地增大。
根据本发明构思的一些实施例,一种半导体存储器模块可包括:非易失性存储器、随机存取存储器以及控制器,其中,控制器被配置为:根据从外部装置发送的写入命令和写入地址在非易失性存储器或随机存取存储器上执行写入操作,并根据从外部装置发送的读取命令和读取地址在非易失性存储器或随机存取存储器上执行读取操作。当非易失性存储器的地址以与写入命令(或读取命令)和写入地址(或读取地址)的格式不同的格式接收时,控制器可被配置为:执行将非易失性存储器的对应于所述地址的存储空间映射到随机存取存储器的高速缓存分配。
附图说明
将从以下结合附图的简要描述更加清楚地理解示例实施例。附图表示在此描述的非限制性示例实施例。
图1是示出根据本发明构思的一些实施例的存储器系统的框图。
图2示出第一存储器模块和第三存储器模块被处理器访问的示例。
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