[发明专利]一种用于光电探测成像的位敏阳极及位敏阳极探测器

权利要求书

1.一种用于光电探测成像的位敏阳极，其特征在于：包括衬底(101)、电荷收集极(102)、金属阳极(103)及连接导线(104)；

所述衬底(101)由介电材料制成，包括衬底输入面(101a)与衬底输出面(101b)；

所述电荷收集极(102)位于衬底输入面(101a)之上且与衬底输入面(101a)紧贴；

所述金属阳极(103)包括以p×q阵列排列的独立金属阳极单元(103a)，其中p，q均为整数，且p≥q，位于衬底输入面(101a)下方且与衬底输入面(101a)相隔一定距离，使金属阳极(103)与电荷收集极(102)形成电容耦合，将电荷收集极(102)收集到的电荷耦合到金属阳极(103)；

所述连接导线(104)包括以p×q阵列排列的独立导线(104a)，与金属阳极单元(103a)一一对应连接。

2.根据权利要求1所述的一种用于光电探测成像的位敏阳极，其特征在于：

所述金属阳极(103)埋于衬底(101)内部，所述连接导线(104)的一端与金属阳极(103)连接，另一端穿过衬底输出面(101b)位于衬底输出面(101b)之外。

3.根据权利要求1所述的一种用于光电探测成像的位敏阳极，其特征在于：所述金属阳极(103)及连接导线(104)位于衬底输出面(101b)下方。

4.根据权利要求3所述的一种用于光电探测成像的位敏阳极，其特征在于：所述金属阳极(103)与输出面(101b)紧贴。

5.根据权利要求1所述的一种用于光电探测成像的位敏阳极，其特征在于：所述衬底(101)为多层陶瓷板叠加而成。

6.根据权利要求5所述的一种用于光电探测成像的位敏阳极，其特征在于：所述电荷收集极(102)为具有电阻的薄膜，薄膜面电阻为250kohm/m²—10Mohm/m²。

7.一种位敏阳极探测器，包括管壳(201)、位于管壳(201)内的光电阴极(202)与电子倍增器(203)，其特征在于：还包括权利要求1-6任一所述的位敏阳极，所述位敏阳极中的电荷收集极(102)及衬底输入面(101a)与管壳密封封接，形成真空环境。

8.根据权利要求7所述的位敏阳极探测器，其特征在于：所述电子倍增器(203)为微通道板、金属通道打拿极、半导体二极管或者雪崩硅光电探测器。

9.根据权利要求8所述的位敏阳极探测器，其特征在于：所述电子倍增器以一组、上下两组或者多组的方式至于管壳的内部，位于光电阴极(202)和电荷收集极(102)之间。