[发明专利]一种半导体激光器芯片

说明书

本发明公开了一种半导体激光器芯片，包括：第一导电类型层和第二导电类型层，所述第二导电类型层的电极面上具有用于焊接封装半导体激光器芯片的焊料，所述半导体激光器芯片的侧壁具有用于阻止所述焊料连通所述第一导电类型层和所述第二导电类型层的绝缘膜。通过设置在半导体激光器芯片其侧壁上的绝缘膜，有效地解决现有技术中的半导体激光器芯片容易因焊料在电迁移过程中联通第一导电类型层和第二导电类型层从而形成漏电通道，导致其芯片失效甚至芯片发热烧毁的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体激光器芯片。

背景技术

半导体激光器又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器，广泛的应用于激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面。半导体激光器芯片是半导体激光器的重要组成部分，现行的半导体激光器芯片封装所使用的焊料一般为铟，铟焊料虽然有导热率高、封装应力小等优点，但也具有易流动和易电迁移等缺点。准连续脉冲工作下，铟焊料会发生电迁移，电迁移过程中会联通PN结的两种不同极性的半导体材料，形成并联在PN结上的一个电阻，形成一个漏电通道。铟焊料形成的电阻远小于芯片PN结电阻，芯片工作时大量电流从该漏电通道流过，容易造成半导体激光器芯片发热烧毁，导致芯片失效的问题发生。

发明内容

因此，本发明旨在提供一种半导体激光器芯片，以解决现有技术中的半导体激光器芯片容易因铟焊料在电迁移过程中联通PN结从而形成漏电通道，导致其芯片失效甚至芯片发热烧毁的问题。为此，本发明提供一种半导体激光器芯片，包括：第一导电类型层和第二导电类型层，第二导电类型层的电极面上具有用于焊接封装半导体激光器芯片的焊料，电极面与焊料直接焊接相连从而封装半导体激光器芯片，

半导体激光器芯片的侧壁具有用于阻止焊料连通第一导电类型层和第二导电类型层的绝缘膜。

绝缘膜分别覆盖第一导电类型层和第二导电类型层的侧壁其出光腔面以外的面。

第一导电类型层为芯片N层，第二导电类型层为芯片P层。

绝缘膜和半导体激光器芯片的基材均为受热膨胀的材料，绝缘膜包括钝化绝缘层以及应力缓冲层，应力缓冲层的热膨胀系数介于钝化绝缘层和半导体激光器芯片的基材之间。

应力缓冲层为绝缘材料。

钝化绝缘层的组成成分中包括SiO₂材料；应力缓冲层的组成成分中包括Si材料；半导体激光器芯片的基材其组成成分中包括GaAs材料。

绝缘膜通过粘附材料与半导体激光器芯片的侧壁相连。

粘附材料为绝缘体。

粘附材料为Al₂O₃。

粘附材料的厚度分别小于钝化绝缘层和应力缓冲层的厚度。

半导体激光器芯片，包括与第一导电类型层相连的衬底，绝缘膜与衬底的侧面贴合相连。

半导体激光器芯片的加工方法，包括以下步骤：

S1在出光腔面表面镀附腔面光学膜；

S2在半导体激光器芯片其出光腔面以外的侧面镀附绝缘膜。

本发明的技术方案，具有如下优点：