[发明专利]一种半导体激光器芯片

权利要求书

1.一种半导体激光器芯片，包括：第一导电类型层(1)和第二导电类型层(2)，所述第二导电类型层(2)的电极面上具有用于焊接封装半导体激光器芯片的焊料(3)，其特征在于，

所述半导体激光器芯片的侧壁具有用于阻止所述焊料(3)连通所述第一导电类型层(1)和所述第二导电类型层(2)的绝缘膜(4)。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器芯片，其特征在于，所述绝缘膜(4)分别覆盖所述第一导电类型层(1)和所述第二导电类型层(2)的侧壁其出光腔面(5)以外的面。

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光器芯片，其特征在于，所述第一导电类型层(1)为芯片N层，所述第二导电类型层(2)为芯片P层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体激光器芯片，其特征在于，所述绝缘膜(4)和所述半导体激光器芯片的基材均为受热膨胀的材料，所述绝缘膜(4)包括钝化绝缘层以及应力缓冲层，所述应力缓冲层的热膨胀系数介于所述钝化绝缘层和所述半导体激光器芯片的基材之间。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器芯片，其特征在于，所述应力缓冲层为绝缘材料。

6.根据权利要求5所述的半导体激光器芯片，其特征在于，所述钝化绝缘层的组成成分中包括SiO₂材料；所述应力缓冲层的组成成分中包括Si材料；所述半导体激光器芯片的基材其组成成分中包括GaAs材料。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体激光器芯片，其特征在于，所述绝缘膜(4)通过粘附材料与所述半导体激光器芯片的侧壁相连。

8.根据权利要求7所述的半导体激光器芯片，其特征在于，所述粘附材料为绝缘材料。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体激光器芯片，其特征在于，包括与所述第一导电类型层(1)相连的衬底(6)，所述绝缘膜(4)与所述衬底(6)的侧面贴合相连。

10.一种权利要求1-9中任一项所述的半导体激光器芯片的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1在出光腔面(5)表面镀附腔面光学膜；

S2在所述半导体激光器芯片其所述出光腔面(5)以外的侧面镀附所述绝缘膜(4)。