[发明专利]具有集成高功率激光二极管的芯片级相干激光雷达在审

专利信息
申请号: 201910261645.3 申请日: 2019-04-02
公开(公告)号: CN110389329A 公开(公告)日: 2019-10-29
发明(设计)人: K·萨亚赫;R·萨基西安;O·叶菲莫夫;P·R·帕特森 申请(专利权)人: 通用汽车环球科技运作有限责任公司
主分类号: G01S7/481 分类号: G01S7/481;G01S7/483;G01S17/93
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 王丽辉
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 返回信号 输出信号 芯片级 高功率激光二极管 相干激光雷达系统 芯片 光束转向装置 相干激光雷达 光电探测器 传输 目标反射 主振荡器 振荡器 组合器
【权利要求书】:

1.一种芯片级相干激光雷达系统,包括:

主振荡器,其集成在芯片上并配置成同时提供用于传输的信号和本机振荡器(LO)信号;

光束转向装置,其配置成将从用于传输的信号中获得的输出信号引导出系统;

芯片上的组合器,其配置成组合所述LO信号和由目标反射输出信号而产生的返回信号;以及

一个或多个光电探测器,其配置成获得所述LO信号和所述返回信号之间的干扰结果,以确定关于所述目标的信息。

2.根据权利要求1所述的系统,其中,所述主振荡器包括增益介质,其由电流源调制以提供调频连续波(FMCW)信号,所述电流源在所述芯片外,并且所述主振荡器还包括输出所述用于传输的信号的第一镜和输出所述LO信号的第二镜,并且所述系统还包括放大所述用于传输的信号以产生所述输出信号的放大器。

3.根据权利要求2所述的系统,其中,所述放大器是具有芯片外电流源的位于所述芯片上的半导体光放大器。

4.根据权利要求2所述的系统,其中,所述主振荡器是分布式布拉格反射器激光二极管(DBR-LD)。

5.根据权利要求1所述的系统,其中,所述一个或多个光电探测器是硅上锗(Si上Ge)光电探测器。

6.根据权利要求1所述的系统,其中,所述系统是单基地系统并且进一步包括循环器,或者所述系统是双基地的。

7.根据权利要求1所述的系统,其中,所述系统在车辆内或车辆上,并且配置成检测对象相对于所述车辆的位置和速度。

8.一种组装相干激光雷达系统的方法,所述方法包括:

在芯片上集成主振荡器和光放大器,以同时提供输出信号和本机振荡器(LO)信号,其中所述主振荡器包括增益介质、第一镜和第二镜;以及

布置第一电流源以供给所述增益介质和第二电流源以供给所述光放大器。

9.根据权利要求8所述的方法,还包括将所述第一镜布置成穿过从所述增益介质到所述光放大器的传输信号,并且将所述第二镜布置成穿过来自所述增益介质的所述LO信号。

10.根据权利要求8所述的方法,还包括配置所述第一电流源以调制所述增益介质的频率。

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