[发明专利]一种低电阻率的氧化还原石墨烯及制备方法在审
| 申请号： | 201910259286.8 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN110078057A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 宋也男;杨鑫良;张堃 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨烯 制备 低电阻率 氧化还原 铜箔 电阻率 还原 含氧官能团 氧化石墨烯 辅助化学 还原过程 气相沉积 刻蚀 薄膜 修复 引入 生产 | ||
【权利要求书】：
1.一种低电阻率的氧化还原石墨烯及制备方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：
步骤1：取1～100平方厘米，厚度为1～40微米，纯度至少95％的铜箔，将铜箔依次放入洁净的分析纯醋酸、丙酮、异丙醇中超声清洗5分钟，每超声清洗后均用去离子水冲洗，并置于真空干燥箱烘干；
步骤2：取步骤1得到的铜箔作为基底，在表面均匀地铺上氧化石墨烯粉末；
步骤3：将步骤2表面均匀铺有氧化石墨烯粉末的铜箔放置于管式炉中，首先通入氢气10sccm升温至1000℃～1050℃，然后再同时通入甲烷15～20sccm，保温50-60分钟后在氢气/氩气的环境中降至室温；制得所述低电阻率氧化还原石墨烯。
2.一种权利要求1所述方法制得的低电阻率氧化还原石墨烯。
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