[发明专利]一种材料介电谱测量的方法在审

专利信息
申请号: 201910258978.0 申请日: 2019-03-22
公开(公告)号: CN110007153A 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 索奕双;郭强;张向平 申请(专利权)人: 金华职业技术学院
主分类号: G01R27/26 分类号: G01R27/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 321017 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 同轴电缆 压力腔 阻抗分析仪 材料介电 低温条件 高频特性 测量 转接头 射频 铌钛 材料施加压力 电信号传输 测量装置 低温容器 高压条件 介电性质 连接紧密 最大压力 操纵杆 控制器 铜线 介电谱 密封性 铜电缆 样品腔 镀铜 研发 施加
【说明书】:

发明涉及新材料研发领域,一种材料介电谱测量的方法,介电谱测量装置包括低温容器、样品腔、压力腔、射频转接头I、四根同轴电缆T、铜电缆I、转接腔、控制器、阻抗分析仪和操纵杆,能够在低温条件下对材料施加压力并进行介电性质测量,将铜线及铌钛同轴电缆引到压力腔内,使得压力腔在低温及高压条件下仍具有良好的密封性,且同轴电缆具有较好的高频特性,而且,采用铌钛同轴电缆镀铜的方法使得射频转接头与同轴电缆之间连接紧密,同轴电缆具有较好的高频特性,在低温条件下能够对样品施加的压力较大,最大压力能够达到10kPa,而且,样品与阻抗分析仪之间的电信号传输损耗小。

技术领域

本发明涉及新材料研发领域,尤其是一种在低温条件下对材料施加压力并进行介电性质测量的一种材料介电谱测量的方法。

背景技术

外界的压力能够使得材料的性质如介电特性发生改变,通过在不同外界压力及温度条件下对同一个样品进行测量,能够得到所测材料的相平衡状态图,这对结构相位转变、金属-绝缘体转变、超导电性等方面的研究具有重要意义。在对尺寸较小且易碎的单晶样品进行压力依赖的介电谱测量时,需要将样品通过电线连接到一个针脚电极上,测量装置中的电学连接需要具有良好的高频特性,以获得衰减小、截止频率高的信号,一种解决方法是将同轴电缆嵌入到能够耐压的馈通中,但是由于电缆及馈通均为管状结构以至于难以密封且在压力下容易变形。而且,在低于4.2K温度下进行的实验需要超导电缆能够有效地传输高频信号,并减少电缆及样品台之间的热量传输,通常电缆由铌钛合金制成,其缺点是较难直接焊接,现有技术中在钛及其合金表面镀铜的方法采用重铬酸盐及高浓度的氢氟酸,有较强的毒性,所述一种材料介电谱测量的方法能够解决问题。

发明内容

为了解决上述问题,本发明采用特殊的方法将铜线及铌钛同轴电缆引到压力腔内,使得压力腔在压力下仍具有良好的密封性,且同轴电缆具有较好的高频特性,而且,本发明采用特殊的铌钛同轴电缆镀铜的方法改善了射频转接头与同轴电缆之间的连接。

本发明所采用的技术方案是:

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