[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种等离子体处理装置，能够使多个加热器与多个线圈之间的配线长度短。在一个实施方式的等离子体处理装置中，高频电源经由供电体而与支承台的下部电极连接。供电体在腔室的外侧被导体管包围。在支承台的静电卡盘内置多个加热器。在多个加热器与加热器控制器之间设置有滤波装置。滤波装置具有多个线圈组，所述多个线圈组分别包括两个以上的线圈。在各线圈组中，两个以上的线圈设置为：各个线圈的卷绕部绕中心轴线以螺旋状延伸，并且各个单匝线圈按顺序重复排列。多个线圈组在腔室的正下方以包围导体管的方式同轴地设置。

技术领域

本公开的实施方式涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

在电子器件的制造中使用等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、支承台以及高频电源。支承台设置在腔室的内部空间中，并且构成为对载置于其上的基板进行支承。支承台包括下部电极和静电卡盘。下部电极与高频电源连接。

在由等离子体处理装置执行的等离子体处理中，需要调整基板的面内的温度分布。为了调整基板的面内的温度分布，在静电卡盘中设置多个加热器。多个加热器的各加热器经由多个供电线而与加热器控制器连接。

从高频电源向支承台的下部电极供给高频。被供给至下部电极的高频能够流入多个供电线。为了使高频在多个供电线上切断或衰减，将多个滤波器分别设置在多个供电线上。如专利文献1所记载的那样，多个滤波器分别包括线圈和电容器。多个滤波器配置在腔室的外侧。因而，多个供电线分别包括从静电卡盘的一侧延伸至腔室的外侧多个配线。

专利文献1：日本特开2014-99585号公报

发明内容

发明要解决的问题

当设置在静电卡盘内的加热器的个数变多时，难以在腔室的周围确保用于配置多个滤波器的线圈、即多个线圈的空间。因而，当设置在静电卡盘内的加热器的个数变多时，静电卡盘与多个线圈的各线圈之间的距离变长，分别构成多个供电线的多个配线的长度变长。当多个配线的长度变长时，由于各配线的寄生成分而引起多个滤波器的阻抗的频率特性劣化。因而，要求能够使将设置在静电卡盘内的多个加热器与多个滤波器的线圈电连接的多个配线的长度短。

用于解决问题的方案

在一个方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、支承台、供电体、导体管、高频电源、滤波装置以及多个配线。支承台构成为在腔室的内部空间之中支承基板。支承台具有下部电极和静电卡盘。静电卡盘设置在下部电极上。静电卡盘具有多个加热器。多个加热器设置在静电卡盘的内部。供电体与下部电极电连接。供电体在下部电极的下侧向下方延伸。导体管在腔室的外侧以包围供电体的方式延伸。导体管接地。高频电源与供电体电连接。滤波装置构成为防止高频从多个加热器流入加热器控制器。多个配线将多个加热器与滤波装置的多个线圈分别电连接。

滤波装置具有上述多个线圈、多个电容器、以及壳体。多个线圈与多个加热器电连接。多个电容器分别连接在多个线圈与地之间。壳体电接地，并且在该壳体中收容有多个线圈。多个线圈构成多个线圈组。多个线圈组分别包括两个以上的线圈。在多个线圈组的各个线圈组中，两个以上的线圈设置为：各个线圈的卷绕部绕中心轴线以螺旋状延伸，并且各个线圈的单匝线圈在中心轴线延伸的轴线方向上按顺序重复排列。多个线圈组在腔室的正下方以包围导体管的方式相对于中心轴线同轴地设置。

在一个方式所涉及的等离子体处理装置中，多个线圈组以共同具有中心轴线的方式同轴地设置，所述多个线圈组分别包括两个以上的线圈。因而，构成多个线圈组的多个线圈所占有的空间小。因而，能够将包括多个线圈的滤波装置配置在腔室的正下方，能够使将设置在静电卡盘内的多个加热器与多个线圈电连接的多个配线的长度短。另外，多个线圈组以包围导体管的方式设置，因此多个线圈各自的截面积大。因而，多个线圈各自的线圈长度即使短也能够确保所需的电感。